SVD4N60D N溝道增強(qiáng)型高壓功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管采用仕蘭微電子的S-RinTM平面高壓VDMOS工藝技術(shù)制造。先進(jìn)的工藝及條狀的原胞設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)使得該產(chǎn)品具有較低的導(dǎo)通電阻、優(yōu)越的開關(guān)性能及很高的雪崩擊穿耐量。
該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于AC-DC開關(guān)電源,DC-DC電源轉(zhuǎn)換器,高壓H橋PMW馬達(dá)驅(qū)動(dòng)。
特點(diǎn):
* 4A,650V,RDS(on)=2.3Ω@VGS=10V
* 低柵極電荷量
* 低反向傳輸電容
* 開關(guān)速度快
* 提升了dv/dt 能力
* 封裝形式:TO-220F-3L
還可提供其它規(guī)格:1N60DB、1N60M、1N60B、1N60D、2N60F、2N60M、2N60D、 4N60F、4N60D、4N65F、7N60F、8N60F、10N65F、12N65F、730F、730T、830F、840F