電子元件貼片電容特性參數(shù)有哪些？

    如今電子產(chǎn)品越來(lái)越小，越來(lái)越薄，就拿手機(jī)來(lái)說(shuō)，從90年代初的大哥大，到如今的iphone4，這中間進(jìn)步的不只是設(shè)計(jì)者，更多的是手機(jī)里的電子元件，從最初的電池一樣大的插件電容到現(xiàn)在小的看不到的貼片電容，那么，如今的貼片電容具有哪些特性和參數(shù)呢？下面應(yīng)用平尚科技的《產(chǎn)品知識(shí)手冊(cè)》給大家講解一下：

    （1） 容量與差錯(cuò)：實(shí)踐電容量和標(biāo)稱電容量答應(yīng)的最大差錯(cuò)規(guī)模。通常運(yùn)用的容量差錯(cuò)有：J級(jí)±5%， K級(jí)±10%，M級(jí)±20%。

    精細(xì)電容器的答應(yīng)差錯(cuò)較小，而電解電容器的差錯(cuò)較大，它們選用不一樣的差錯(cuò)等級(jí)。

    常用的電容器其精度等級(jí)和電阻器的標(biāo)明辦法一樣。用字母標(biāo)明：D級(jí)—±0.5%；F級(jí)—±1%；
G級(jí)—±2%；J級(jí)—±5%；K級(jí)—±10%；M級(jí)—±20%。

    （2） 額外作業(yè)電壓：電容器在電路中可以長(zhǎng)時(shí)間安穩(wěn)、牢靠作業(yè)，所接受的最大直流電壓，又稱耐壓。對(duì)于布局、介質(zhì)、容量一樣的器材，耐壓越高，體積越大。

    （3） 溫度系數(shù)：在必定溫度規(guī)模內(nèi)，溫度每改變1℃，電容量的相對(duì)改變值。溫度系數(shù)越小越好。

    （4） 絕緣電阻：用來(lái)標(biāo)明漏電巨細(xì)的。通常小容量的電容，絕緣電阻很大，在幾百兆歐姆或幾千兆歐姆。

    電解電容的絕緣電阻通常較小。相對(duì)而言，絕緣電阻越大越好，漏電也小。

    （5） 損耗：在電場(chǎng)的效果下，電容器在單位時(shí)間內(nèi)發(fā)熱而耗費(fèi)的能量。這些損耗首要來(lái)自介質(zhì)損耗和金屬損耗。通常用損耗角正切值來(lái)標(biāo)明。

    （6） 頻率特性：電容器的電參數(shù)隨電場(chǎng)頻率而改變的性質(zhì)。在高頻條件下作業(yè)的電容器，因?yàn)榻殡姵��?shù)在高頻時(shí)比低頻時(shí)小，電容量也相應(yīng)減小。損耗也隨頻率的升高而添加。別的，在高頻作業(yè)時(shí)，電 容器的散布參數(shù)，如極片電阻、引線和極片間的電阻、極片的自身電感、引線電感等，城市影響電
容器的功能。所有這些，使得電容器的運(yùn)用頻率受到限制。

    不一樣種類(lèi)的電容器，最高運(yùn)用頻率不一樣。小型云母電容器在250MHZ以內(nèi)；圓片型瓷介電容器為300MHZ；圓管型瓷介電容器為200MHZ；圓盤(pán)型瓷介可達(dá)3000MHZ；小型紙介電容器為80MHZ；中型紙介電容器只要8MHZ。

    測(cè)評(píng)貼片電容功能，從三個(gè)方面進(jìn)行，首先是貼片電容的四個(gè)慣例電功能，即容量Cap. 損耗DF，絕緣電阻IR和耐電壓DBV，通常地，X7R產(chǎn)物的損耗值DF<=2.5%，越小越好，IR*Cap>500歐*法，BDV>2.5Ur.其次是貼片電容的加快壽數(shù)功能，在125deg.c環(huán)境溫度和2.5Ur直流負(fù)載條件下，芯片應(yīng)本領(lǐng)100小時(shí)不擊穿，質(zhì)量好的可耐1000小時(shí)不擊穿。再次就是產(chǎn)物的耐熱沖擊功能，將電容浸入300deg.c錫爐10秒，多做幾粒，顯微鏡下調(diào)查能否有外表裂紋，然后可測(cè)驗(yàn)容量損耗并與熱沖擊前比照分辨芯片能否內(nèi)部裂紋。 貼片電容在電路上出現(xiàn)問(wèn)題，有可能是貼片電容自身質(zhì)量不良，亦有可能是設(shè)計(jì)時(shí)選擇標(biāo)準(zhǔn)欠佳或是在外表貼裝機(jī)械力熱沖擊等對(duì)貼片電容形成必定的損傷等要素形成。▇