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<P> 2022年6月9日–提供超豐富半導體和電子元器件的業界知名新品引入(NPI)分銷商貿澤電子(Mouser Electronics)即日起開始分銷UnitedSiC(現已被Qorvo®收購)的UF4C和UF4SC 1200V碳化硅(SiC)FET。作為廣泛的高性能SiC FET系列產品,此第四代器件具有出色的導通電阻特性,適用于主流800V總線架構中的電源解決方案,如電動汽車車載充電器、工業電池充電器、工業電源、DC-DC太陽能逆變器等應用。</P> <P> 貿澤電子分銷的UF4C/SC SiC FET為設計人員提供了多種導通電阻和封裝選項。1200 V SiC FET的導通電阻(RDS(on))值為23mΩ至70mΩ,可采用三引線TO-247-3L封裝或四引線TO-247-4L封裝。TO-247-4L封裝采用開爾文柵極,具有超低柵極電荷和出色的反向恢復特性,非常適合開關感性負載,以及任何需要標準柵極驅動的應用。</P> <P align=center><IMG border=0 src="/uploadfile/newspic/20220614113338214.jpg"></P> <P> UF4C/SC系列所有器件都可以用標準的0V至12V或15V柵極驅動電壓安全驅動,從而在不改變柵極驅動電壓的情況下,成為硅IGBT、FET或超級結器件的合適替代品。UF4C/SC SiC FET的其他主要特性包括:通過真正的5V閾值電壓保持良好的閾值噪聲容限、出色的反向恢復特性和內置ESD柵極保護箝位。</P> <P> </P>
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