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編者按:碳化硅(SiC)是半導(dǎo)體界公認的“一種未來的材料”,是新世紀有廣闊發(fā)展?jié)摿Φ男滦桶雽?dǎo)體材料,由于碳化硅的各種特點,使得近年來通態(tài)電阻低并且散熱性好的碳化硅器件得到迅速發(fā)展,由碳化硅制成的肖特基二極管也得到了廣泛應(yīng)用。面對如此朝氣蓬勃的行業(yè),美國CREE公司獨占鰲頭,占據(jù)了全球市場的半壁江山。是什么原因使SiC材料炙手可熱,CREE的SiC肖特基二極管在中國的市場前景如何,抱著這些問題,我們有幸采訪了CREE 亞太區(qū)銷售總監(jiān)嚴啟南先生(以下簡稱“嚴總”)。<BR><BR><center><div align=center><img src=/uploadfile/newspic/20068101243429126.gif border=0 onload="javascript:if(this.width>600)this.width=600"></div></center><BR><center>Cree亞太區(qū)銷售總監(jiān)嚴啟南先生</center><BR><BR><b>產(chǎn)品——卓越性能 應(yīng)用廣泛</b><BR><BR> Si是一種性能通用、價格便宜的半導(dǎo)體材料,應(yīng)用范圍相當(dāng)廣泛,但在某些應(yīng)用方面存在一些不足,如:高溫、高壓作業(yè)方面。以肖特基二極管為例,嚴總說到,利用Si片無法做到高壓肖特基二極管,一般為60V、100V,最高也只能達到200V。但將同樣的工藝用在SiC方面,卻可以做到600V、1000V、2000V。<BR><BR> 關(guān)于SiC材料的特點,嚴總將其和Si材料進行了對比。碳化硅半導(dǎo)體的能帶間隔為硅的2.8倍,其絕緣擊穿場強為硅的5.3倍,其導(dǎo)熱率是硅的3.3倍。與碳化硅相同耐壓的硅相比,其漂移電阻區(qū)的厚度薄了一個數(shù)量級,其雜質(zhì)濃度可為硅的2個數(shù)量級,由此,碳化硅的單位面積的阻抗僅為硅的百分之一。另外,碳化硅功率器件可在400℃的高溫下正常工作,還可利用體積微小的器件控制很大的電流。<BR><BR> 碳化硅具有硬度高、抗高溫性能好,熱導(dǎo)率高等特點,廣泛適用于各種工業(yè)領(lǐng)域。幾年以前,碳化硅(SiC)還在被人們認為是功率器件的一種可選材料,碳化硅功率器件的卓越動態(tài)性能使其成為邁入了工業(yè)應(yīng)用階段最初的推動力量。<BR><BR> 首先商品化的SiC器件是肖特基二極管,據(jù)嚴總介紹,目前,以SiC為材料的肖特基二極管已應(yīng)用在一些對電壓、環(huán)境、溫度及效率要求相對較高的地方,如PDP電視機、逆變空調(diào)、電動車馬達驅(qū)動等,可明顯提高產(chǎn)品效率,改善使用成本。<BR><BR><b>市場——品質(zhì)高端、前景光明</b><BR><BR> 碳化硅具有卓越的性能,其適用范圍也非常廣泛,可以說是理想的半導(dǎo)體材料。然而,正是因為其卓越的性能,使得其制作成本高,和普通硅片相比,SiC材料價格相對較高。價格在某種程度上決定了其應(yīng)用范圍,目前,SiC材料僅用在一些高端產(chǎn)品和需求較高的場合。如何擺脫價格因素帶來的應(yīng)用限制,成為當(dāng)前最需解決的問題。<BR><BR> 針對這一情況,嚴總給出了答案,由于SiC的良好性能,應(yīng)用可靠性好,壽命長(至少是50年),可以明顯提高產(chǎn)品的效率,降低消耗度,在實際應(yīng)用上并不會加重客戶的成本。只使用普通硅片的1/8至1/10,就可以帶來比使用普通硅片更好的效果,因此,只要加深對SiC的了解,正確應(yīng)用,SiC所發(fā)揮的作用會很大。用SiC材料制作的肖特基二極管將越來越多地受到用戶的青睞。<BR><BR>談到SiC肖特基二極管的應(yīng)用前景,嚴總非常看好。<BR><BR> 當(dāng)前,環(huán)保逐步被提上日程,生產(chǎn)綠色節(jié)能電源已成大勢所趨,企業(yè)為了生產(chǎn)節(jié)電產(chǎn)品不斷摸索。這時候,SiC肖特基二極管的優(yōu)點就顯現(xiàn)無遺。嚴總舉了一個鮮明的例子,有一家LCD企業(yè),為了使產(chǎn)品達到EPA(美國環(huán)境保護署)標(biāo)準(zhǔn),試用了多種半導(dǎo)體器件,不但價格昂貴,其效果也不盡人意。最終,他們選擇了Cree的SiC肖特基二極管,使產(chǎn)品順利達標(biāo)。<BR><BR> 電動車時代的來臨也給SiC肖特基二極管市場帶來了契機。如果將電動車馬達驅(qū)動的二極管替換成SiC肖特基二極管,不但能提高3%的效率(每輛電動車需40K瓦功耗),還可以降低冷卻系統(tǒng)的消耗,節(jié)省的能源和冷卻系統(tǒng)將是一筆不小的財富。<BR><BR> 可以說,通過不斷的發(fā)展,未來15年之內(nèi),SIC將成高壓半導(dǎo)體的主流。這也對Cree的發(fā)展指明了方向。嚴總談到, Cree將繼續(xù)在綠色節(jié)能方面進一步去突破SiC的應(yīng)用。<BR><BR><b>企業(yè)——立足研發(fā) 服務(wù)全球</b><BR><BR> 成立于1987年的Cree,是全球唯一量產(chǎn)SiC半導(dǎo)體材料的公司,占據(jù)了全球SiC基材料90%以上市場和50%以上SiC肖特基二極管市場,。從最初生產(chǎn)LED發(fā)展到量產(chǎn)LED、芯片、POWER LED、高頻MOS管等多款產(chǎn)品,Cree經(jīng)歷了一次又一次的飛躍。<BR><BR> Cree引領(lǐng)了全球SiC半導(dǎo)體材料及器件的發(fā)展,同樣,Cree在SiC半導(dǎo)體市場的發(fā)展也吸引了眾多目光和追隨者,但由于尖端技術(shù)的限制,使得很多企業(yè)不得不放棄這塊“蛋糕”。當(dāng)然,也有部分企業(yè)投入了大量人力物力進行研發(fā),并取得了一定的成績。如TOYOTA,為了大力發(fā)展其電力汽車,專門成立部門研發(fā)SiC半導(dǎo)體器件。據(jù)嚴總介紹,目前,中國國內(nèi)有不少企業(yè)生產(chǎn)SiC,同樣由于技術(shù)要求而無法形成單晶像,不能做到半導(dǎo)體等級。因此,他們更多是用于制作人造鉆石,用于研磨、切割等其他領(lǐng)域的應(yīng)用。<BR><BR> 隨著全球經(jīng)濟的進一步發(fā)展,服務(wù)方面的競爭成為企業(yè)間競爭的又一焦點。作為全球性企業(yè)之一,Cree尤其看重技術(shù)方面的服務(wù)。Cree是一家立足科研,專門研究生產(chǎn)SiC材料及器件的公司,因此,Cree在技術(shù)應(yīng)用方面具備強大的優(yōu)勢。以亞太區(qū)為例,Cree在香港科學(xué)園建立了兩個實驗室,一個功率半導(dǎo)體實驗室,一個光電實驗室。因此,在整個亞太地區(qū),客戶從開發(fā)到生產(chǎn)的一切疑難,Cree香港實驗室都可以提供專業(yè)的技術(shù)服務(wù)。<BR><BR> 可以說,從SiC基片到肖特基二極管,從技術(shù)、生產(chǎn)到銷售、服務(wù),Cree打造了一個完善的產(chǎn)品鏈,促進其全球市場的拓展和維護。<BR><BR><b>中國市場——針對特殊領(lǐng)域 加強應(yīng)用推廣</b><BR><BR> 近幾年,Cree在全球有針對性的推廣功率半導(dǎo)體器件。在中國市場,據(jù)嚴總介紹, Cree在已經(jīng)有幾家代理公司,以深全力電子(深圳)有限公司為主。針對中國的市場需求,Cree將在幾個特殊應(yīng)用領(lǐng)域開始自己的市場,如:要求比較嚴格、環(huán)保的電源;空調(diào)、電動汽車、通訊方面用的開關(guān)電源;速變電壓等。<BR><BR><center><div align=center><img src=/uploadfile/newspic/20068101253443712.gif border=0 onload="javascript:if(this.width>600)this.width=600"></div></center><BR><center>本刊工作人員與嚴總及深全力執(zhí)行董事彭振明先生(居中)合影</center><BR><BR> Cree是中國市場注入的新鮮血液,雖然踏入中國市場的時間不長,但是Cree已經(jīng)嘗到了收獲的喜悅。他們的產(chǎn)品初步得到了一些上規(guī)模企業(yè)的認可。當(dāng)然Cree不會滿足于這點成績。對此,嚴總談到,Cree將通過召開技術(shù)研討會,新產(chǎn)品發(fā)布會等方式,讓更多的人知道Cree,了解Cree,引導(dǎo)企業(yè)的技術(shù)工程師,加深對SiC器件的充分認識,正確應(yīng)用,從而達到雙贏。<BR><BR> 目前,SiC器件卓越性能及其發(fā)展?jié)摿Ρ妒荜P(guān)注,對于剛剛進入中國市場的Cree來說,同樣被寄予了期待和厚望。人們不會拒絕優(yōu)秀,相信Cree在SiC器件不斷取得新的突破,獲取更大的應(yīng)用領(lǐng)域的同時,能給中國半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域帶來新的飛躍!<BR><BR><b>附:</b><BR><BR> Cree(納斯達克交易代碼:CREE)創(chuàng)建于1987年,位于美國加利福尼亞洲。研制開發(fā)并生產(chǎn)基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)及相關(guān)化合物的材料與設(shè)備。公司的產(chǎn)品包括綠光、藍光和紫外光LED,近紫外激光、射頻和微波半導(dǎo)體設(shè)備,電源轉(zhuǎn)換設(shè)備和半導(dǎo)體集成芯片。這些產(chǎn)品的目標(biāo)應(yīng)用包括固態(tài)照明、光學(xué)存儲、無線基礎(chǔ)和電路轉(zhuǎn)換等。2005年,Cree銷售額為3.89億美元,預(yù)計2006年將達4.5億美元,公司大部分利潤來自于LED產(chǎn)品和SiC、GaN材料的生產(chǎn),產(chǎn)品銷往北美、歐洲和亞洲。
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