英飛凌推出全球最低通態(tài)電阻SSO8無(wú)鉛封裝MOSFET模塊

全新的OptiMOS 3系列模塊可使工業(yè)、消費(fèi)類(lèi)和電信應(yīng)用的功率密度提高50%

    2008年5月23日，英飛凌科技股份公司在中國(guó)國(guó)際電源展覽會(huì)上宣布推出采用SuperSO8和S308 （Shrink SuperSO8）封裝的40V、60V和80V OptiMOS^™ 3 N溝道MOSFET，在這些擊穿電壓下可提供無(wú)鉛封裝形式下的全球最低通態(tài)電阻。SuperSO8封裝與標(biāo)準(zhǔn)TO（晶體管外形）封裝相比，可使功率密度增大50%，特別是對(duì)于服務(wù)器開(kāi)關(guān)模式電源的同步整流應(yīng)用而言。舉例來(lái)說(shuō)，這種采用SuperSO8封裝的器件可以只用20%的占位空間提供與D²-Pak封裝相同的通態(tài)電阻。

    “該無(wú)鉛結(jié)構(gòu)封裝具備較低的封裝寄生電阻和電感，最大程度降低了對(duì)整個(gè)器件性能的影響，便于充分利用OptiMOS 3硅技術(shù)功能。”英飛凌電源管理與驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品事業(yè)部負(fù)責(zé)人Gerhard Wolf指出。

    全新OptiMOS 3系列可提供出類(lèi)拔萃的通態(tài)電阻，OptiMOS 3 40V系列采用SuperSO8封裝具備最低1.8 mW的通態(tài)電阻，OptiMOS 3 60V采用SuperSO8封裝具備最低2.8 mW的通態(tài)電阻，OptiMOS 3 80V采用SuperSO8封裝具備最低4.7 mW的通態(tài)電阻，與最接近的競(jìng)爭(zhēng)性產(chǎn)品相比，通態(tài)電阻降幅高達(dá)50%，為業(yè)界樹(shù)立了新標(biāo)桿。這些器件的FOM（品質(zhì)系數(shù)，以通態(tài)電阻乘以柵極電荷得出）與采用標(biāo)準(zhǔn)TO封裝的同類(lèi)產(chǎn)品相比高出25%，能夠更快速實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)，同時(shí)最大程度降低開(kāi)關(guān)損耗和柵極驅(qū)動(dòng)損耗，提高功率密度，降低驅(qū)動(dòng)器散熱量。SuperSO8封裝寄生電感不到0.5nH，比TO-220封裝的5-10nH電感低很多，這進(jìn)一步提升了器件整體效率，最大程度上減少在開(kāi)關(guān)條件下的振蕩現(xiàn)象。SuperSO8封裝高度為1mm，R_th-jt （結(jié)至頂端的熱阻）低于16°K/W，適用于嵌入式系統(tǒng)頂部冷卻解決方案或立式安裝在3D集成系統(tǒng)里的PCB模塊。

    “作為全球功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)袖，英飛凌引領(lǐng)超小封裝潮流，使通態(tài)電阻降低高達(dá)50%。”英飛凌電源管理與驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品事業(yè)部負(fù)責(zé)人Gerhard Wolf指出，“我們利用在功率半導(dǎo)體制造和封裝方面的領(lǐng)先技術(shù)，使功率半導(dǎo)體具備一流的效率和開(kāi)關(guān)特性、更高的功率密度以及出色的性?xún)r(jià)比，從而大大降低系統(tǒng)成本。”

OptiMOS 3 40V、60V、80V：應(yīng)用與產(chǎn)品詳情

    OptiMOS 3 40V、60V和80V產(chǎn)品適用于需要高效率和功率密度的功率轉(zhuǎn)換和管理應(yīng)用，包括眾多產(chǎn)品的SMPS（開(kāi)關(guān)模式電源）、DC/DC轉(zhuǎn)換器和直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等。這些產(chǎn)品包括計(jì)算機(jī)、家用電器、小型電動(dòng)車(chē)、工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)、電信設(shè)備和電動(dòng)工具、電動(dòng)剪草機(jī)和風(fēng)扇等消費(fèi)類(lèi)電子設(shè)備。

    采用SuperSO8封裝的OptiMOS 3可滿(mǎn)足多種應(yīng)用中的快速開(kāi)關(guān)SMPS和DC/DC轉(zhuǎn)換器的需求，譬如AC/DC SMPS中的同步整流器、隔離式DC/DC轉(zhuǎn)換器的主側(cè)開(kāi)關(guān)和次側(cè)開(kāi)關(guān)和非隔離（降壓）工業(yè)轉(zhuǎn)換器，對(duì)于這些應(yīng)用而言，空間、功率密度和最大效率都是關(guān)鍵要素。該系列具備至PCB的1°K/W熱阻、頂部和雙側(cè)冷卻功能以及100A持續(xù)電流額定值，新的OptiMOS 3 MOSFET系列為40V至80V低電阻MOSFET樹(shù)立了新標(biāo)桿。該系列還包括業(yè)界首款采用S3O8封裝的60V和80V擊穿電壓MOSFET，其占位空間與標(biāo)準(zhǔn)SO8或SuperSO8器件相比減少60%。

    60V和80V SuperSO8器件與采用TO封裝的解決方案相比可使服務(wù)器SMPS的效率提高0.5%，或與標(biāo)準(zhǔn)解決方案相比，在通態(tài)電阻額定值提高20%的條件下，可獲得相同的效率。

供貨與定價(jià)

    全新OptiMOS 3 40V、60V與80V功率MOSFET系列采用SuperSO8和S3O8封裝，具有不同的通態(tài)電阻額定值。OptiMOS 3 60V系列現(xiàn)已開(kāi)始批量生產(chǎn)，40V 和 80V器件目前只提供樣品。

    在訂購(gòu)量達(dá)到萬(wàn)件時(shí)，采用SuperSO8封裝且通態(tài)電阻為2.8 mW的OptiMOS 3 60V單價(jià)不超過(guò)0.99美元（0.64歐元），采用SuperSO8封裝且通態(tài)電阻為4.7 mW的OptiMOS 3 80V單價(jià)約為1.1美元（0.70歐元）。在同樣訂購(gòu)量下，采用S308封裝的6.7 mW OptiMOS 3 60V的單價(jià)為0.6美元（0.38歐元），而采用封裝的12.3 mW OptiMOS 3 80V的單價(jià)為0.66美元（0.42歐元）。

    英飛凌將在中國(guó)深圳舉辦的中國(guó)國(guó)際電源展覽會(huì)（2008年5月23日至25日）的A101號(hào)展臺(tái)展出采用SuperSO8和S308封裝的全新OptiMOS 3功率半導(dǎo)體和其他創(chuàng)新產(chǎn)品。