Wolfspeed, A Cree Company 繼續其在碳化硅（SiC）功率器件技術的創新，打包推出了業內首個 1700V SiC MOSFET，該產品提高優化表面貼裝組合，以用于高壓逆變電源系統輔助電源的商業使用。針對較高的阻斷電壓，設計工程師以全新的 SiC MOSFET 代替了額定較低的硅 MOSFET，提供了高效、簡化的驅動器電路，降低了散熱成本，從而降低了系統總成本。
全新的 SMD 套裝專為高電壓 MOSFET 而設計，其占地面積小，且爬電距離較寬：漏極和源極之間 7 毫米。這通過 WolfspeedSiC 平面 MOS 技術的小尺寸和高阻斷能力實現。該新套裝還包括獨立驅動源連接，其減少了柵極振鈴，并提供了干凈的柵極信號。
Wolfspeed 電源 MOSFET 營銷經理 Edgar Ayerbe 解釋說：“我們全新的 1700V SiC MOSFET 為電力工程師提供了顯著的設計優點，特別是反激式拓撲。由于碳化硅的轉換損耗較低，裝置可在極低的結溫下運行。這可使客戶直接將裝置通過散熱片安裝在 PCB 上，這極大減少了制造成本，提高了系統的可靠性。與使用硅器件相比，該裝置提供了更小、更輕便的電源，降低了系統成本。”
新 1700V SiC MOSFET 預計用于高功率逆變器的輔助電源 — 如太陽能逆變器、馬達驅動器、UPS 設備、風能轉換器和牽引供電系統 — 通常使直流電壓逆勢下跌至操作系統邏輯、保護電路、顯示器、網絡接口和冷卻風扇。它們還可用于三相電子儀表的電源供應，或需要高阻斷電壓和低電容的所有轉換器應用。
指定 C2M1000170J，全新的 1700V SiC MOSFET 具有大于 1800V 的雪崩額定值，以及 1Ω 的 RDS（開）。這些功能保證了反激式轉換器電路的可靠性能，包括在嘈雜的電氣環境中，如大功率逆變器中。通過單轉換反激式拓撲 200V 至 1000V 輸入電壓的設計，1700V SiC MOSFET 簡化了硅器件要求的復雜驅動和緩沖電路元件。<
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