三菱電機在PCIM亞洲展2015展示九款功率器件

    三菱電機今年以“創新功率器件構建可持續未來”為題，攜帶九款全新功率器件，參展了近期在上海世博展覽館舉行的PCIM亞洲展2015，公司 今年展出的功率器件應用范圍跨越五大領域，包括：工業傳動、光伏發電、變頻家電、軌道牽引及電動汽車，致力為客戶提供高性能及低損耗的產品。

    工業及光伏發電市場

    針對工業光伏逆變器市場的需要，三菱電機展出四款新型功率模塊，包括第7代IGBT模塊、DIPIPM+模塊、4in1 T型三電平逆變器用IGBT模塊及1in1三電平逆變器用IGBT模塊。

    第7代IGBT模塊特別適用于通用變頻器。它采用了第7代IGBT硅片和二極管硅片；具有650V、1200V和1700V三種電壓等級；提高利用門極電阻優化dv/dt的可控性；涵蓋模塊電流100A至1000A；采用預涂熱界面材料(TIM)，與傳統硅脂相比，模塊與散熱器的接觸熱阻降低50%。它繼承現有的統一封裝(NX)和傳統封裝(A/NF/MPD)，適應不同的結構設計需求；NX封裝具有焊接方式和壓接方式兩種控制端子。

    整流逆變制動一體化模塊DIPIPM+則完整地集成整流橋、逆變橋、制動單元以及相應的驅動保護電路。它采用第7代CSTBTTM硅片；提供短路保護和欠壓保護；內置自舉二極管；提供LVIC溫度模擬量輸出功能；額定電流覆蓋50A/600V和5~35A/1200V。采用該款模塊設計通用變頻器，可以最大程度地簡化布線設計，縮小基板面積，縮短開發周期；同時還可以降低布線電感及濾波器成本，使噪聲設計變得簡單。

    4in1 T型三電平逆變器用IGBT模塊, 是專門為提高光伏發電效率而開發的400A模塊， 半橋采用第6.1代1200V IGBT硅片，交流開關采用第7代650V IGBT硅片，損耗低、允許結溫高達175℃；內部雜散電感小，正負端子之間為32nH、正零端子之間為和零負端子之間均27nH；絕緣耐壓高達4000Vrms/1min；更采用了易于并聯的封裝結構。

    在1in1三電平逆變器用IGBT模塊中，1200V級和1700V級均采用第6代IGBT硅片，實現更低損耗，方便客戶根據不同需要構建I型或者T型三電平拓撲；模塊內部雜散電感小，一單元模塊為8nH，兩單元模塊為12nH。絕緣耐壓高達4000Vrms/1min，結溫最高可達175℃

    軌道牽引及電動汽車驅動市場

    此次展會上，三菱電機為軌道牽引領域帶來兩款新的功率模塊，分別為X系列HVIGBT模塊及下一代兩單元HVIGBT模塊，可應用于牽引變流器及直流輸電變流子模塊；而J1系列車用IGBT模塊則適用于電動汽車驅動器。

    X系列是最新一代HVIGBT模塊，進一步提升了3.3kV/4.5kV/6.5kV等級的額定電流；使用了第7代IGBT和RFC Diode硅片技術，實現更低飽和壓降和開關損耗。它同時采用LNFLR技術，實現低熱阻；并有更寬的安全工作區。針對電力傳輸應用而開發的6500V/1000A單管HVIGBT模塊已率先發布。

    至于下一代兩單元HVIGBT模塊，將提供三個電壓等級3.3kV/450A、4.5kV/400A及6.5kV/275A，均采用全新封裝，實現更低的雜散電感及更易于并聯，其絕緣耐壓達10.4kVrms/1min。

    J1系列車用IGBT模塊專為電動汽車驅動器設計，是采用Pin-fin底板的六合一IGBT模塊。它采用第7代IGBT硅片技術及高可靠性的DLB(直接主端子綁定)技術，以及基于硅片的溫度和電流檢測技術；與傳統的結構相比，熱阻降低40%，安裝面積減小40%。三菱電機將提供包括驅動電路、冷卻水套及薄膜電容的整體解決方案技術支持，以方便客戶快速應用該模塊實現車用逆變器的設計。<