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Diodes 100V MOSFET H橋采用5mm x 4.5mm封裝 有效節(jié)省占位面積

2016/2/16 10:32:10   電源在線(xiàn)網(wǎng)
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    Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的100V全H橋DMHC10H170SFJ,把雙N通道及P通道 MOSFET集成到微型DFN5045封裝 (5mm x 4.5mm)。這種配置可減少元件數(shù)量以及節(jié)省電路板空間,另外對(duì)要求配備多種器件的應(yīng)用尤為重要,包括一系列工業(yè)檢測(cè)系統(tǒng)或海事聲吶設(shè)備內(nèi)的超聲波換能器。其它常見(jiàn)的應(yīng)用有48V電信設(shè)備散熱風(fēng)扇的直流驅(qū)動(dòng)電機(jī),以及無(wú)線(xiàn)充電板線(xiàn)圈等電感負(fù)載。

Diodes 100V MOSFET H橋采用5mm x 4.5mm封裝 有效節(jié)省占位面積

    DMHC10H170SFJ具有100V漏源極擊穿電壓 (BVDSS),提供充足的凈空以支持48V電信軌和工業(yè)應(yīng)用。它還配備5V的柵極電壓,以簡(jiǎn)化微控制器的直接邏輯電平接口之設(shè)計(jì)。該器件的峰值脈沖電流額定值為11A,使之能夠在驅(qū)動(dòng)線(xiàn)圈通電時(shí)處理沖擊電流,這一般比直流電機(jī)的典型工作電流大五倍。

    新產(chǎn)品可替代四個(gè)SOT23或兩個(gè)SO-8封裝器件,使多個(gè)超聲波換能器能以緊湊的陳列部署。以1,024個(gè)換能器一組為例,每個(gè)都必須由H橋單獨(dú)驅(qū)動(dòng),從而為相控陣系統(tǒng)提供可控的聚焦光束。這種系統(tǒng)用來(lái)檢測(cè)材料生產(chǎn)流程,并且適用于海事回聲定位系統(tǒng)。

    DMHC10H170SFJ采用了V-DFN5045-12封裝,提供市場(chǎng)上獨(dú)有的超小尺寸解決方案。新產(chǎn)品以三千個(gè)單元為出貨批量。<

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本文鏈接:Diodes 100V MOSFET
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文章標(biāo)簽: 超聲波換能器/100V MOSFET/
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