意法半導體推出新款功率MOSFET

    意法半導體針對汽車市場推出了新系列高壓N溝道功率MOSFET。新產(chǎn)品通過AEC-Q101汽車測試認證，采用意法半導體最先進、內(nèi)置快速恢復二極管的MDmeshTM DM2超結制造工藝，擊穿電壓范圍為400V至650V，可提供D2PAK、TO-220及TO-247三種封裝。

    400V和500V兩款新產(chǎn)品是市場上同級產(chǎn)品中首個獲得AEC-Q101認證的功率MOSFET，而600V和650V產(chǎn)品性能則高于現(xiàn)有競爭產(chǎn)品。全系列產(chǎn)品專為汽車應用設計，內(nèi)部集成快速恢復體二極管、恢復軟度系數(shù)更高的換向行為和背對背柵源齊納二極管保護功能，是全橋零壓開關拓撲的理想選擇。

    意法半導體的新功率MOSFET是汽車市場上Trr / Qrr比和恢復軟度系數(shù)表現(xiàn)最好的功率MOSFET，同時也擁有最出色的高電流關斷能量，有助于提高汽車電源能效。此外，內(nèi)部快速體二極管的性能表現(xiàn)亦十分出色，有助于降低EMI電磁干擾，讓設計人員能夠使用尺寸更小的被動濾波器件。MDmeshTM DM2技術通過這種方式讓電源設計變得更環(huán)保、能耗更低，從而使能效最大化、終端產(chǎn)品的尺寸最小化。

    意法半導體的新款車用功率MOSFET擁有以下主要特性：

    •快速恢復體二極管

    •極低的柵電荷量及輸入電容，500V D2PAK產(chǎn)品的柵電荷量及輸入電容分別為44nC和1850pF

    •低導通電阻

    •最短的Trr：600V TO-247在28A時是120ns；650V TO-247在48A時是135ns

    •柵源齊納二極管保護<