Vishay推出新款可用于CPU系統中的DrMOS器件

器件采用緊湊的6mm2封裝；可輸出最高達35A的連續輸出電流；采用3V～16V的輸入電壓

    日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出一款在一個PowerPAK®  MLF6x6封裝內集成DrMOS解決方案的器件 --- SiC769，該器件同時提供了高壓側和低壓側的N溝道MOSFET，外加全功能的MOSFET驅動器IC。SiC769分別提供針對3.3V和5V控制器的兩個型號，完全符合服務器和桌面計算機、圖形卡、工作站、游戲控制臺和其他高功率的CPU系統中電壓穩壓器的DrMOS規范。器件使操作頻率可超過1MHz，從而降低多相VR拓撲的尺寸和成本。
 
    SiC769采用3V～16V的輸入電壓，可輸出最高達35A的連續輸出電流。集成的功率MOSFET對0.8V～2.0V的輸出電壓進行了優化，標稱輸入電壓為12V。SiC769還可以在5V輸出下，為ASIC應用提供非常高的功率。
 
    SiC769先進的柵極驅動IC接收來自VR控制器的一個PWM輸入，把它轉換成高壓側和低壓側MOSFET柵極驅動信號。PWM輸入與所有的控制器兼容，尤其是支持帶有三態PWM輸出功能的控制器。驅動IC中的電路能夠自動探測輕負載情況，然后自動啟動系統中的跳頻模式操作(SMOD)，該模式可提高輕負載條件下的效率。自適應的死區時間控制能夠進一步地提高效率。保護功能包括UVLO、擊穿保護，熱報警功能可在結溫過高時對系統發出報警信號。
 
    SiC769中集成的驅動IC和功率MOSFET降低了功率損耗，減輕了與高頻分立功率級相關的寄生阻抗的影響。SiC769還采用了先進的封裝，與競爭技術相比，將封裝中的功率損耗減少了30%。設計者可以對高頻開關進行優化，改善瞬態響應，節約輸出濾波器器件的成本，并實現在多相Vcore應用中最高的功率密度。這樣可以節約PCB面積，為使用者的核心競爭技術提供更多的施展空間。
 
    SiC769現可提供樣品，并已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為十周。

VISHAY SILICONIX簡介
    Vishay Siliconix 是現今世界上排名第一的低壓功率MOSFET和用于在計算機、蜂窩電話和通信基礎設備的管理和功率轉換以及控制計算機磁盤驅動和汽車系統的固態開關的供應商。Vishay Siliconix的硅技術和封裝產品的里程碑，包括在業內建成第一個基于槽硅工藝（TrenchFET®）的功率型MOSFET和業內第一個小型的表面貼裝的功率型MOSFET(LITTLE FOOT®)。
 
    創新的傳統不斷的衍生出新的硅技術，例如被設計用來在直流電到直流電的轉換和負荷切換的應用中最佳化功率MOSFET的性能的硅技術，以及可以滿足客戶需求的更佳熱性能(PowerPAK®) 和更小空間(ChipFET®，MICRO FOOT®)新的封裝選擇。 除了功率MOSFET外，Vishay Siliconix的產品還包括功率集成電路和業界最杰出的模擬交換和多路復用器的線路。Vishay Siliconix功率集成電路的發展不僅專注于應用在蜂窩電話、筆記本計算機、和固定電信基礎設備的功率轉換元件，而且也同樣關注低電壓、約束空間的新型模擬開關集成電路。
 
    Siliconix創建于1962年，在1998年Vishay購買了其80.4%的股份使其成為Vishay子公司。

VISHAY簡介
    Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富 1,000 強企業”，是全球分立半導體（二極管、整流器、MOSFET、光電器件及某些精選 IC）和無源電子元件（電阻器、電容器、電感器、傳感器及轉換器）的最大制造商之一，這些元件可用于工業、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天及醫療市場的各種類型的電子設備。憑借產品創新、成功的收購戰略，以及“一站式”服務使 Vishay 成為了全球業界領先者。有關 Vishay 的詳細信息，敬請瀏覽網站 www.vishay.com。■