模擬晶圓代工龍頭企業(yè)X-FAB與國產SiC功率器件供應商派恩杰達成長期戰(zhàn)略合作，共同推動全球SiC產業(yè)發(fā)展

　　2021年9月6日，模擬晶圓代工龍頭企業(yè)X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）和國產SiC功率器件供應商派恩杰聯(lián)合對外宣布，雙方就批量生產SiC晶圓建立長期戰(zhàn)略合作關系，此前雙方已經合作近三年時間。

　　X-FAB總部位于歐洲，是全球第一家提供150mm SiC工藝的代工企業(yè)。X-FAB符合汽車品質的生產環(huán)境可以幫助客戶生產制造出高品質、高性能，并且能快速上市的器件。

　　作為X-FAB亞洲區(qū)重要的合作伙伴，據(jù)了解，過去三年派恩杰累計出貨1千萬，未來三年預計將超過8千萬。

　　從派恩杰官網(wǎng)了解到，派恩杰是成立于2018年9月的第三代半導體功率器件設計和方案商。創(chuàng)始人黃興博士師從IGBT之父B•賈揚•巴利加（B.Jayant Baliga），在Cree/RFMD(Qorvo)/UnitedSiC等有長達十年的SiC&GaN功率器件設計經驗。由此可見，派恩杰SiC&GaN功率器件自帶美國半導體技術基因，具有先天技術優(yōu)勢，技術實力可見一斑，派恩杰的產品發(fā)展史也佐證了這一點。

　　2019年3月，派恩杰成立僅6個月即發(fā)布了第一款可兼容驅動650V GaN功率器件。同年8月完成Gen3技術的1200V SiC MOS，填補了國內空白。2020年先后發(fā)布用于5G數(shù)據(jù)中心、服務器與工業(yè)輔助電源的650V、1700V工業(yè)級MOS以及用于車載充電機的650V車規(guī)級MOS。2021年2月發(fā)布1200V大電流車規(guī)級MOS，應用于電動汽車電驅單管及模塊。

　　截至目前，派恩杰已經發(fā)布了50余款650V/1200V/1700V SiC SBD、SiC MOS、GaN HEMT功率器件產品。

　　派恩杰和X-FAB均表示，雙方將持續(xù)深度合作，充分發(fā)揮派恩杰國際一流水平的產品技術優(yōu)勢和在X-FAB高擴展性和汽車品質的代工服務，降低SiC器件的成本，保障產能，加速SiC功率器件在大數(shù)據(jù)中心、超級計算與區(qū)塊鏈、5G通信基站、新能源汽車/儲能/充電樁、微型光伏、城際高速鐵路和城際軌道交通、家用電器以及特高壓、航空航天、工業(yè)特種電源、UPS、電機驅動等領域的應用，推動全球SiC產業(yè)的發(fā)展。