Ramtron推出FM14C88 F-RAM并口儲存器

    世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation推出并口F-RAM存儲器FM14C88，適合RAID(磁碟陣列)存儲服務(wù)器及主機(jī)總線適配卡 (HBA card) 等應(yīng)用。
 
    與nvSRAM相比，F(xiàn)M14C88的讀寫速度更快, 工作電壓更低。FM14C88 的容量為256Kb、工作電壓為2.0至3.6V，采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)300mil寬度的32腳SOIC封裝，具有高速訪問、無延遲(NoDelay™) 寫入、幾乎無限的讀寫次數(shù)及低功耗等特點，是取代BBSRAM (電池供電的SRAM) 或非易失性SRAM (nvSRAM)等存儲器的理想方案。
 
    Ramtron市場拓展經(jīng)理李鴻鈞稱：“FM14C88的引腳和功能與CY14B256L和 STK14C88-3 等nvSRAM兼容，具有實時非易失性寫入和快速上電運作等優(yōu)勢，不像nvSRAM需要大電容或BBSRAM需要電池來支持?jǐn)嚯姇r的數(shù)據(jù)存儲。對比BBSRAM和nvSRAM等方案, FM14C88更能節(jié)省成本和基板空間，簡化生產(chǎn)，提高產(chǎn)品的可靠性。”

    FM14C88是配置為32K x 8的標(biāo)準(zhǔn)并口非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲器 (F-RAM)，讀寫操作與標(biāo)準(zhǔn)SRAM相似，能夠在斷電后保存數(shù)據(jù)，并提供超過635年(55℃) 的數(shù)據(jù)保存能力，消除BBSRAM (電池供電的SRAM) 或非易失性SRAM (nvSRAM)方案中電池，電容的不可靠性、高成本和設(shè)計復(fù)雜性等問題。F-RAM具有寫入速度快，幾乎無限的讀寫次數(shù)(寫入次數(shù)大約為1014次) 等特點，使其成為RAID存儲服務(wù)器及工業(yè)自動化等應(yīng)用的理想選擇。
 
    FM14C88在系統(tǒng)內(nèi)的工作方式與其它 SRAM 器件類似，可以用作標(biāo)準(zhǔn)SRAM的兼容替代器件。只需開啟芯片的使能引腳或改變地址，就可進(jìn)行讀寫操作。由于F-RAM存儲器采用獨特的鐵電存儲器工藝，具有非易失性的特點，所以非常適合需要頻繁或快速寫入數(shù)據(jù)的非易失性存儲應(yīng)用。FM14C88可在整個工業(yè)環(huán)境溫度范圍(-40°C至+85°C)工作。
 
FM14C88 F-RAM器件的特性包括：
●  無延遲 (NoDelay™) 寫入
●  頁面模式工作頻率高達(dá)33MHz
●  無需大型存儲電容器，不存在與電容相關(guān)的品質(zhì)和成本問題
●  即時進(jìn)行非易失性寫入操作
●  上電恢復(fù)時間為250 ms，比nvSRAM快100倍
●  引腳和功能與CY14B256L和STK14C88-3兼容
●  60 ns存取時間，90 ns讀寫周期時間
●  電源電壓2.0V – 3.6V
●  90 mA待機(jī)電流 (典型值)
●  7 mA工作電流 (典型值)
●  32腳“綠色”/RoHS SOIC封裝
 
    FM14C88 并口存儲器已獲得全球著名RAID供應(yīng)商選用，其高性能、高可靠性和低成本的優(yōu)勢已獲得業(yè)界公認(rèn)。
 
關(guān)于Ramtron International
    Ramtron International 總部設(shè)在美國科羅拉多州Colorado Springs市，是專門設(shè)計、開發(fā)和銷售專用半導(dǎo)體存儲器和集成半導(dǎo)體解決方案的無晶圓廠半導(dǎo)體公司，產(chǎn)品廣泛用于各種應(yīng)用和全球市場。要了解更多信息，請訪問公司網(wǎng)站www.ramtron.com。■