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安森美半導(dǎo)體擴(kuò)充功率開關(guān)產(chǎn)品 推出高壓MOSFET系列

2010/2/22 17:56:23   電源在線網(wǎng)
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    應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ONNN)擴(kuò)充公司市場領(lǐng)先的功率開關(guān)產(chǎn)品陣容,推出包括500伏特(V)和600 V器件的高壓功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)系列。這些新方案的設(shè)計(jì)適合功率因數(shù)校正(PFC)和脈寬調(diào)制(PWM)段等高壓、節(jié)能應(yīng)用的強(qiáng)固要求,在這些應(yīng)用中,加快導(dǎo)通時(shí)間及降低動(dòng)態(tài)功率損耗至關(guān)重要。具體而言,這些方案非常適合用于游戲機(jī)、打印機(jī)和筆記本電源適配器,及應(yīng)用于ATX電源、液晶顯示器(LCD)面板電源和工業(yè)照明鎮(zhèn)流器。

    這些新的500 V和600 V器件是單N溝道MOSFET,以提供有競爭力的低導(dǎo)通阻抗(RDS(on))實(shí)現(xiàn)極低的功率耗散。這些器件使用平面條形(planar stripe)技術(shù),能在極苛刻應(yīng)用中工作。低門電荷降低開關(guān)損耗,還提高電源能效。這些器件的額定雪崩能量在電源應(yīng)用中提供強(qiáng)固的工作。這些器件的優(yōu)異性能組合幫助開發(fā)更高能效的電源子系統(tǒng)。

    安森美半導(dǎo)體MOSFET產(chǎn)品分部副總裁兼總經(jīng)理Paul Leonard說:“推出這些器件系列僅是安森美半導(dǎo)體進(jìn)軍高壓功率MOSFET市場的第一步。我們戰(zhàn)略性地進(jìn)入了高壓開關(guān)市場,提供充沛的500 V到600 V負(fù)載開關(guān)方案選擇,更好地服務(wù)我們客戶的總體電源管理需求。未來我們將繼續(xù)擴(kuò)充高壓功率MOSFET產(chǎn)品陣容,為消費(fèi)及工業(yè)客戶提供針對性的方案。這些新器件的推出是安森美半導(dǎo)體不斷加強(qiáng)其業(yè)界領(lǐng)先高能效電源方案供應(yīng)商地位的又一實(shí)例。”

    新推出的600 V MOSFET器件包括:

    - NDD02N60Z-1G,采用IPAK封裝,每10,000片批量的單價(jià)為0.22美元

    - NDD02N60ZT4G,采用DPAK封裝,每10,000片批量的單價(jià)為0.22美元

    - NDD03N60Z-1G,采用IPAK封裝,每10,000片批量的單價(jià)為0.23美元

    - NDD03N60ZT4G,采用DPAK封裝,每10,000片批量的單價(jià)為0.23美元

    - NDD04N60Z-1G,采用IPAK封裝,每10,000片批量的單價(jià)為0.27美元

    - NDD04N60ZT4G,采用DPAK封裝,每10,000片批量的單價(jià)為0.27美元

    - NDF04N60ZG,采用TO-220FP封裝,每10,000片批量的單價(jià)為0.27美元

    - NDF06N60ZG,采用TO-220FP封裝,每10,000片批量的單價(jià)為0.36美元

    - NDF10N60ZG,采用TO-220FP封裝,每10,000片批量的單價(jià)為0.42美元

    新推出的500 V MOSFET器件包括:

    - NDD05N50Z-1G,采用IPAK封裝,每10,000片批量的單價(jià)為0.29美元

    - NDD05N50ZT4G,采用DPAK封裝,每10,000片批量的單價(jià)為0.29美元

    - NDF05N50ZG,采用TO-220FP封裝,每10,000片批量的單價(jià)為0.29美元

    - NDF08N50ZG,采用TO-220FP封裝,每10,000片批量的單價(jià)為0.38美元■

   免責(zé)聲明:本文僅代表作者個(gè)人觀點(diǎn),與電源在線網(wǎng)無關(guān)。其原創(chuàng)性以及文中陳述文字和內(nèi)容未經(jīng)本站證實(shí),對本文以及其中全部或者部分內(nèi)容、文字的真實(shí)性、完整性、及時(shí)性本站不作任何保證或承諾,請讀者僅作參考,并請自行核實(shí)相關(guān)內(nèi)容。
  來源:安森美半導(dǎo)體
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