英飛凌科技股份公司近日推出600 V和1200V高速3（第三代）IGBT產(chǎn)品系列。該系列經(jīng)過(guò)優(yōu)化，適用于高頻和硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用，在降低開(kāi)關(guān)損耗、實(shí)現(xiàn)出類拔萃的效率方面，樹(shù)立了行業(yè)新標(biāo)桿，并可滿足開(kāi)關(guān)頻率高達(dá)100 kHz的應(yīng)用需求。
近年來(lái)，各種產(chǎn)品對(duì)分立式IGBT的需求促使設(shè)計(jì)者尋求具備優(yōu)化特性的IGBT，比如開(kāi)關(guān)和通態(tài)損耗優(yōu)化，以期充分發(fā)揮產(chǎn)品的性能。英飛凌的全新600 V 和1200 V高速3系列IGBT可適用于電焊機(jī)、太陽(yáng)能逆變器、開(kāi)關(guān)電源和不間斷電源（SMPS 和UPS）等高頻應(yīng)用，幫助最大限度發(fā)揮系統(tǒng)的性能。
英飛凌公司IGBT功率分立式器件高級(jí)營(yíng)銷經(jīng)理Roland Stele指出：“最近幾年，工業(yè)驅(qū)動(dòng)、感應(yīng)加熱、電焊機(jī)、UPS和太陽(yáng)能逆變器等應(yīng)用對(duì)IGBT的需求大幅提高。所有這些產(chǎn)品都需要具有特定優(yōu)化特性的功率開(kāi)關(guān)。英飛凌提供的新一代突破性IGBT針對(duì)高頻應(yīng)用進(jìn)行優(yōu)化，具備最低的開(kāi)關(guān)損耗并提高了系統(tǒng)效率。”
全新的高速3 IGBT系列經(jīng)過(guò)優(yōu)化，適用于開(kāi)關(guān)頻率高達(dá)100 kHz的產(chǎn)品。它相對(duì)于上一代器件，總關(guān)斷損耗降低35％。關(guān)斷損耗的大幅降低主要源自于極短的拖尾電流時(shí)間。拖尾電流時(shí)間縮短75%，并表現(xiàn)出類似MOSFET的關(guān)斷開(kāi)關(guān)行為。
由于Vce(sat)（通態(tài)飽和電壓）對(duì)總體損耗也很關(guān)鍵，因此需要在開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗之間實(shí)現(xiàn)最佳平衡。全新的高速3系列不僅具備極低的開(kāi)關(guān)損耗，而且具備較低的導(dǎo)通損耗，這主要得益于采用本身具備較低通態(tài)飽和電壓的、成熟的Trenchstop™ 技術(shù)。
對(duì)于高速3系列中具備續(xù)流二極管的IGBT而言，其二極管的尺寸經(jīng)過(guò)優(yōu)化，適用于高速開(kāi)關(guān)，同時(shí)可維持較高的軟度，使產(chǎn)品具備出色的抗電磁干擾性能。■
來(lái)源：英飛凌科技
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