三菱電機在PCIM中國展推出全新R系列HVIGBT模塊

    三菱電機將攜同三款新型的HVIGBT模塊，包括：3300V R系列、6500V R系列和4500VR系列，在6月1日至3日于上海光大會展中心舉行的PCIM 2010中國展（展位號A13-A14）中亮相，為軌道牽引和大功率工業(yè)驅(qū)動，帶來更高性能、超可靠、低損耗的技術(shù)。

    三菱電機針對軌道牽引和大功率工業(yè)驅(qū)動的需要，特別設計了具有優(yōu)良性能的HVIGBT模塊，尤注重損耗低、額定電流大以及運行結(jié)溫范圍大的特性，同時具備良好的開關(guān)控制特性以降低電磁干擾（EMI）。本次推出的三款HVIGBT模塊完全符合這些要求，并已經(jīng)取得國際鐵路行業(yè)標準(IRIS) 認證。 

    3300V R系列HVIGBT模塊采用LPT(Light Punch-Through)-HVIGBT硅片和軟恢復高壓二極管硅片的組合，在不影響模塊的短路魯棒性前提下，該新型模塊的飽和壓降與關(guān)斷損耗折衷特性得到了25%的改善。

    新型二極管的使用減小了反向恢復電流，且軟反向恢復特性維持了現(xiàn)有二極管設計的短路魯棒性，并具有良好的EMI性能。新的硅片技術(shù)大大降低了模塊的功率損耗，提高了模塊的額定電流，最大額定電流可高達1500A，而過往產(chǎn)品的最大額定電流只有1200A。實驗證明，通過調(diào)節(jié)導通和關(guān)斷柵極電阻值可以在比較大范圍內(nèi)控制模塊的開關(guān)特性。

    6500V R系列HVIGBT模塊，其絕緣耐壓高達10.2k V（1分鐘交流有效值）。基板材料采用AlSiC，模塊的可靠性得到大大提高。一共有3種封裝形式，小型，中型和大型。6500V R系列 HVIGBT模塊的IGBT硅片具有漏電流小、功率損耗低、安全工作區(qū)（SOA）寬的特性，其二極管硅片具有軟反向恢復特性、功率損耗低和安全工作區(qū)（SOA）寬的特性，從而達至模塊的總的功率損耗低，可靠性高。

    新的R系列HVIGBT模塊還推出4500V R系列，電流分別有1200A和800A。新的R系列HVIGBT模塊硅片的運行溫度上限由過去的125°C提高到150°C，模塊的儲存最低溫度從過去的-40°C降低到-50°C。■