三菱電機宣布量產SiC功率半導體業務計劃

    三菱電機公司近期于日本東京舉辦 “功率器件業務說明會”，公司專務執行董事、半導體及器件業務本部長久間和生公布了公司SiC功率半導體業務計劃的有關內容。

    公司計劃從2011年度開始量產將SiC二極管與Si-IGBT組合在一起的混合型逆變器模塊，并在該年度內首先配備到三菱電機制造的家電、產業設備以及太陽能發電系統等相關產品上。最初將用于面向日本國內市場的產品上。三菱電機目前使用該公司的功率器件工廠（福岡縣福岡市）內的100mm晶圓產生線來量產SiC二極管，計劃2013~2014年度量產將Si-IGBT換成SiCMOSFET的全SiC型逆變器模塊。

    三菱電機2009年12月在功率器件制作所內設立了處理能力為3000塊/月的100mm晶圓試制生產線。該公司目前正在利用該生產線試制SiC二極管及SiCMOSFET，而且均獲得了超過預想的高成品率，將來還打算利用150mm（6英寸）直徑以上的晶圓來進行生產。該公司表示，雖然量產之初使用事先形成外延膜的外延晶圓，但為了提高器件質量的控制性，今后還將考慮采購裸晶圓，在公司內部形成外延膜。 

    對于配備SiC器件的逆變器模塊的用途，該公司表示將配備在2011年度本公司生產的產品上，考慮的候選領域有3~4個。具體包括家電、產業設備、太陽能發電系統相關產品等。另外該公司還將積極推進模塊的外銷業務。從中長期看，在SiC器件的配備對象中汽車將占有相當大的比例。 

    至于在逆變器等功率半導體模塊上的應用，該公司表示“現有GaN器件（的溝道）為橫型，因此與縱型的SiC器件相比難以確保電流容量。不過，將來也有可能以實現在功率半導體模塊上應用為目標展開相關開發”。■