Vishay推出業界最佳優值系數（FOM）的N溝道功率MOSFET

    日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅動下具有0.07Ω的超低最大導通電阻，柵極電荷減小到216nC，采用TO-247封裝。 

    柵極電荷與導通電阻的乘積是用于功率轉換應用中MOSFET的優值系數(FOM)，SiHG47N60S的FOM為15.12Ω-nC，是業界此類器件當中最低的。 

    SiHG47N60S的低導通電阻意味著更低的傳導損耗，從而在太陽能電池和風力發電機的逆變器、通信、服務器和電機控制電源應用中的逆變器電路和脈寬調制(PWM)全橋拓撲中節約能源。 

    新的SiHG47N60S使用Vishay Super Junction技術制造，這種技術為減小通態電阻、在雪崩和通信模式中承受高能脈沖進行了有針對性的處理。MOSFET符合RoHS指令2002/95/EC，為保證可靠工作進行了完備的雪崩測試。 

    新款功率MOSFET現可提供樣品，并已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為十周到十二周。■