IR推出堅(jiān)固耐用100V FastIRFET PQFN 5×6功率MOSFET

為通信電源應(yīng)用提供基準(zhǔn)性能

    全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司推出100V FastIRFET功率MOSFET IRFH7185TRPbF，為通信應(yīng)用中的DC-DC電源提供基準(zhǔn)性能。

    IRFH7185TRPbF采用IR全新的100V FastIRFET工藝，提供基準(zhǔn)的導(dǎo)通電阻柵極電荷品質(zhì)因子 (Rds(on)*Qg figure of merit)，以實(shí)現(xiàn)更高效率和功率密度，并且提高系統(tǒng)可靠性。

    IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“IRFH7185TRPbF提供超低導(dǎo)通電阻，并且比同類型器件的柵極電荷顯著降低，所以從輕載到滿載都能達(dá)到高性能的要求。IR全新的100V FastIRFET器件提高雪崩電流密度達(dá)20%，為DC-DC通信電源提供行業(yè)最堅(jiān)固耐用的解決方案。”

    IR FastIRFET器件可與各種控制器或驅(qū)動(dòng)器配合使用，從而使設(shè)計(jì)更靈活，在更小的占位面積實(shí)現(xiàn)更高的電流、效率和頻率。IRFH7185TRPbF達(dá)到工業(yè)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)和第一級(jí)濕度敏感度 (MSL1) 標(biāo)準(zhǔn)，并采用了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝5x6 PQFN，所采用的材料環(huán)保，不含鉛，并符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS)。

    規(guī)格

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