東芝電子攜多款功率器件產(chǎn)品參加PCIM 2014

    近期，“上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)”（PCIM Asia 2014 ）在上海世博展覽館隆重舉行，日本半導(dǎo)體制造商株式會(huì)社東芝（Toshiba）旗下東芝半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司盛裝亮相，展示其最新的、應(yīng)用在電力領(lǐng)域的技術(shù)和產(chǎn)品。

    東芝電子本次展出的產(chǎn)品包括：IEGT（Injection Enhanced Gate Transistor）專利產(chǎn)品、Stack（壓接裝置）產(chǎn)品、SiC（混合型IEGT）產(chǎn)品、IPD + MCU（電機(jī)驅(qū)動(dòng)方案）、MOSFETs以及Coupler（光耦）。

    東芝在IGBT的基礎(chǔ)上成功研發(fā)出“注入增強(qiáng)”（IE：Injection Enhanced）技術(shù)，用于高電壓大電流級(jí)別的IGBT使其性能得到大幅提升。隨后，針對(duì)100kW到MW級(jí)別的超大功率電力轉(zhuǎn)換設(shè)備的應(yīng)用，開(kāi)發(fā)出東芝專利產(chǎn)品IEGT。IEGT通過(guò)采取“注入增強(qiáng)結(jié)構(gòu)”實(shí)現(xiàn)了低通態(tài)電壓，使大功率電力電子器件取得了飛躍性的發(fā)展。作為IGBT系列電力電子器件具有良好的發(fā)展前景，其具有低損耗、高速開(kāi)關(guān)、高耐壓、有源柵驅(qū)動(dòng)智能化等特點(diǎn)。并采用溝槽結(jié)構(gòu)和多芯片并聯(lián)均流等技術(shù)，使其在進(jìn)一步及擴(kuò)大電流容量方面頗具潛力。目前，東芝的IEGT主要應(yīng)用于新能源、太陽(yáng)能、風(fēng)能、高壓直流輸電（HVDC）、牽引用特種電源等特大功率電力領(lǐng)域。隨著電力市場(chǎng)項(xiàng)目功率等級(jí)和電壓等級(jí)的不斷提高，IEGT的優(yōu)勢(shì)逐步得到了體現(xiàn)和認(rèn)可。現(xiàn)在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)上已經(jīng)有以東芝的IEGT作為核心器件成功運(yùn)行項(xiàng)目。

    此外，針對(duì)PPI壓接式封裝的產(chǎn)品，需要專用的壓接裝置，東芝在展會(huì)上展示了客戶版本的壓接裝置，可供其他客戶參考；在SiC （混合型IEGT）產(chǎn)品方面，東芝已將新型材料碳化硅的技術(shù)，成功地應(yīng)用于IEGT模塊中，取代了IEGT中的二極管，實(shí)現(xiàn)了高效和高性能的新產(chǎn)品；同時(shí)，東芝電子的智能模塊IPD結(jié)合了專用驅(qū)動(dòng)芯片MCD，可以支持小功率的電機(jī)，并已被廣泛地用于家電行業(yè)；公司擁有豐富封裝的高壓MOS管（HV-MOS）和低壓MOS（LV-MOS）產(chǎn)品線，能滿足從消費(fèi)類電子到工業(yè)相關(guān)設(shè)備的不同需求。

    東芝電子在節(jié)能、環(huán)保、綠色及可持續(xù)發(fā)展等方面以全面創(chuàng)新為己任，整合多領(lǐng)域技術(shù)，提供優(yōu)秀的產(chǎn)品和技術(shù)支持。<