近日，由我國自主研制的首批8英寸IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）芯片模塊在昆明地鐵車輛段完成段內(nèi)調(diào)試并穩(wěn)定運(yùn)行1萬公里，這標(biāo)志著我國已徹底打破國外高端IGBT技術(shù)壟斷，實(shí)現(xiàn)從研發(fā)、制造到應(yīng)用的完全國產(chǎn)化。
此次試運(yùn)行的IGBT模塊，由中國南車株洲研究所旗下南車時(shí)代電氣自主研發(fā)的8英寸IGBT芯片封裝而成，IGBT芯片制造、封裝、測(cè)試的整套技術(shù)均在該公司研制和生產(chǎn)。
據(jù)中國工程院院士、南車株洲所總經(jīng)理丁榮軍介紹，如果將IGBT等電力電子技術(shù)應(yīng)用到全國20%的電機(jī)中，每年可節(jié)約用電2000億千瓦時(shí)，相當(dāng)于兩個(gè)三峽電站的年發(fā)電量。同時(shí)，中國自主研發(fā)的高功率等級(jí)的IGBT對(duì)涉及國家經(jīng)濟(jì)安全、國防安全等戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)至關(guān)重要。<
免責(zé)聲明：本文僅代表作者個(gè)人觀點(diǎn)，與電源在線網(wǎng)無關(guān)。其原創(chuàng)性以及文中陳述文字和內(nèi)容未經(jīng)本站證實(shí)，對(duì)本文以及其中全部或者部分內(nèi)容、文字的真實(shí)性、完整性、及時(shí)性本站不作任何保證或承諾，請(qǐng)讀者僅作參考，并請(qǐng)自行核實(shí)相關(guān)內(nèi)容。
本文鏈接：我國自主研制的首批8英寸IGBT芯片實(shí)
http:www.mangadaku.com/news/2014-11/20141128135355.html
http:www.mangadaku.com/news/2014-11/20141128135355.html
文章標(biāo)簽： 8英寸IGBT芯片/絕緣柵雙極型晶體管
0755-82905460
郵箱 
：
