英飛凌推出具備更大爬電距離的寬體封裝，進(jìn)一步擴(kuò)大緊湊型門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品陣容

    英飛凌科技股份公司為其EiceDRIVER™ Compact隔離型門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)IC產(chǎn)品家族帶來(lái)了寬體封裝新成員。全新1EDI Compact 300 mil器件采用DSO-8 300 mil封裝，可增大爬電距離并改善熱性能。

    全新IC的爬電距離為8 mm，輸入至輸出隔離電壓1200 V。它們專為驅(qū)動(dòng)高壓功率MOSFET和IGBT而設(shè)計(jì)。目標(biāo)應(yīng)用包括通用和光伏逆變器、工業(yè)變頻器、電動(dòng)汽車充電站、焊接設(shè)備及商用和農(nóng)用車等。優(yōu)化的引腳可簡(jiǎn)化PCB設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)低阻抗電源。與英飛凌EiceDRIVER™產(chǎn)品家族的其他成員一樣，1EDI Compact 300 mil驅(qū)動(dòng)基于英飛凌的無(wú)芯變壓器技術(shù)。最新推出的驅(qū)動(dòng)IC能實(shí)現(xiàn)最大6 A的輸出電流。

    產(chǎn)品信息與上市時(shí)間

    該IC能在獨(dú)立的灌電流和拉電流輸出引腳分別提供驅(qū)動(dòng)電流0.5A（1EDI05I12AH）、2A（1EDI20I12AH）、4A（1EDI40I12AH）和6A（1EDI60I12AH）的不同型號(hào)。這些器件的典型延遲為300納秒。對(duì)于速度更高的應(yīng)用，1EDI20H12AH和1EDI60H12AH的延遲有所縮短，只有120納秒，非常適合于當(dāng)今和未來(lái)的基于SiC-MOSFET的應(yīng)用。另外三個(gè)型號(hào)（1EDI10I12MH、1EDI20I12MH和1EDI30I12MH）配有一個(gè)集成的米勒鉗位，可提供相應(yīng)的輸出電流1A、2A和3A等規(guī)格。

    2016年6月計(jì)劃批量生產(chǎn)1EDI Compact 300 mil門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)IC。目前提供工程樣品和評(píng)估板。<