2019年9月5日—推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，憑借不斷增長的符合IEEE802.3bt標準的產(chǎn)品和技術陣容引領行業(yè)。以太網(wǎng)供電(PoE)使用新的IEEE802.3bt標準，可用于通過局域網(wǎng)(LAN)聯(lián)接提供高達90 W的高速互聯(lián)。安森美半導體的方案不僅支持新標準的功率限制，還將功率擴展到100 W用于電信和數(shù)字標識等系統(tǒng)。
新的IEEE802.3bt PoE標準有潛力變革物聯(lián)網(wǎng)(IoT)所涉及的每個垂直市場，使更精密的端點可在更大的網(wǎng)絡運行。IEEE802.3bt標準通過新的“Autoclass”特性優(yōu)化能量管理，令受電設備(PD)將其特定的功率需求傳遞給供電設備(PSE)。這也令每個PSE僅向每個PD分配適當?shù)墓β柿浚瑥亩畲蠡捎媚芰亢蛶挕?/P>
與IEEE 802.at標準(PoE+)提供的30 W相比，IEEE 802.3bt可提供高達90 W的功率和互聯(lián)到新的應用，無需專用且通常為離線的電源。PoE將簡化網(wǎng)絡拓撲，并提供更強固的“即插即用”用戶體驗。
商業(yè)信息提供商IHS Markit電源半導體高級分析師Kevin Anderson說：“以太網(wǎng)供電是當今電源半導體發(fā)展最快的市場之一，預計2017年到2022年的復合平均單位增長率為14%。IEEE 802.3bt中定義的更高供電能力促成新的應用，如更高功率聯(lián)接的照明、聯(lián)網(wǎng)的高分辨率監(jiān)控攝像機和高性能無線接入點�！�
NCP1095和NCP1096接口控制器構成安森美半導體PoE-PD方案的基礎，具有實施PoE接口所需的所有特性，包括檢測、自動分類和限流�？刂破鞑捎靡粋�外部(NCP1095)或內(nèi)部(NCP1096)熱插拔FET。NCP1096集成的熱插拔FET具有Type 3或Type 4 PoE控制器可提供的最低導通電阻�？刂破髋湟訬CP1566 DC-DC控制器、FDMC8622單MOSFET、FDMQ8203和FDMQ8205A GreenBridge四通道MOSFET，為PoE應用中的二極管橋提供更有效的替代方案。這些器件賦能高效的PoE接口，最高可達標準的90 W功率限制，若需更高的功率，可用專用的100 W方案。
安森美半導體工業(yè)和離線電源方案副總裁Ryan Cameron說：“作為一家講究高能效的公司，我們很高興能促進PoE充分發(fā)揮潛力。我司提供全系列符合IEEE 802.3bt的方案，使這技術更容易廣及所有開發(fā)工程師，有助于使更多聯(lián)接的設備具有保證的互操作性。”
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