意法半導(dǎo)體和MACOM成功開發(fā)射頻硅基氮化鎵原型芯片，取得技術(shù)與性能階段突破

　　2019年5月19日，中國-服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM)和世界排名前列的電信、工業(yè)、國防和數(shù)據(jù)中心半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商MACOM技術(shù)解決方案控股有限公司(納斯達(dá)克股票代碼:MTSI，以下簡稱“MACOM”)宣布，射頻硅基氮化鎵(RF GaN-on-Si)原型芯片制造成功。基于這一成果，意法半導(dǎo)體和MACOM將繼續(xù)攜手，深化合作。

　　射頻硅基氮化鎵可為5G和6G移動基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用帶來巨大的發(fā)展?jié)摿Α３醮�射頻功率放大器(PA)主要是采用存在已久的橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)射頻功率技術(shù)，而GaN(氮化鎵)可以給這些射頻功率放大器帶來更好的射頻特性和更高的輸出功率。此外，雖然GaN既可以在硅片上制造，也可以在碳化硅(SiC)晶圓上制造，但射頻碳化硅基氮化鎵（RF GaN-on-SiC）終究不是一種主流半導(dǎo)體制造工藝，且還要考慮和高功率應(yīng)用爭奪SiC晶圓，這些都可能會導(dǎo)致其成本更加昂貴。而意法半導(dǎo)體和MACOM正在開發(fā)的射頻硅基氮化鎵技術(shù)可以集成到標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體工業(yè)中，在實現(xiàn)具有競爭力的性能的同時，也有望帶來巨大的規(guī)模經(jīng)濟效益。

　　意法半導(dǎo)體制造的射頻硅基氮化鎵原型晶圓和相關(guān)器件已達(dá)到成本和性能目標(biāo)，完全能夠與市場上現(xiàn)有的LDMOS和GaN-on-SiC技術(shù)展開有效競爭。現(xiàn)在，這些原型即將進入下一個重要階段——認(rèn)證測試和量產(chǎn)。意法半導(dǎo)體計劃將在2022年實現(xiàn)這一新的里程碑。為取得這一進展，意法半導(dǎo)體和MACOM已著手研究如何加大投入力度，以加快先進的射頻硅基氮化鎵產(chǎn)品上市。

　　意法半導(dǎo)體功率晶體管子產(chǎn)品部總經(jīng)理兼執(zhí)行副總裁Edoardo Merli表示：“我們相信，這項技術(shù)的性能水平和工藝成熟度現(xiàn)已達(dá)到可以挑戰(zhàn)現(xiàn)有的LDMOS和射頻GaN-on-SiC的程度。我們可以為無線基礎(chǔ)設(shè)施等大規(guī)模應(yīng)用帶來成本效益和供應(yīng)鏈優(yōu)勢。射頻硅基氮化鎵產(chǎn)品的商業(yè)化是我們與MACOM合作的下一個重要目標(biāo)，隨著合作項目不斷取得進展，我們期待著釋放這一激動人心的技術(shù)的全部潛力。”

　　MACOM總裁兼首席執(zhí)行官Stephen G.Daly表示：“我們推進硅基氮化鎵技術(shù)商業(yè)化和量產(chǎn)工作繼續(xù)取得良好進展。我們與意法半導(dǎo)體的合作是我們射頻功率戰(zhàn)略的重要組成部分，相信我們可以在硅基氮化鎵技術(shù)可以發(fā)揮優(yōu)勢的目標(biāo)應(yīng)用領(lǐng)域贏得市場份額。”