【2022年7月8日，德國慕尼黑訊】數字化、低碳化等全球大趨勢推升了采用寬帶隙(WBG)器件碳化硅/氮化鎵(SiC/GaN)器件的需求。這類器件具備獨特的技術特性，能夠助力電源產品優化性能和能源效率。英飛凌科技公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)與臺達電子工業股份有限公司(TWSE:2308)兩家全球電子大廠，長期致力于創新的半導體和電力電子領域，今日宣布深化其合作，強化寬帶隙SiC及GaN器件在高端電源產品上的應用，為終端客戶提供出色的解決方案。
600 V CoolGaN HSOF-8
目前，英飛凌與臺達持續加深產品的結合與應用合作，臺達最新的1.4 kW服務器電源和1.6 kW的80 Plus鈦金級電競電源皆采用了英飛凌的寬帶隙功率器件。臺達憑借在電力電子領域積累的數十年的核心競爭力，結合英飛凌高效能的非對稱溝槽式CoolSiC MOSFET技術，推出的1.4 kW服務器電源供應器，可實現超過96%的效率。另一項1.6 kW鈦金級電競電源則采用英飛凌CoolGaN技術與EiceDRIVER閘極驅動器IC，在多電壓輸出時效率可達96%，遠高于工業領域的鈦金級標準(94%)，這主要歸因于采用英飛凌的CoolGaN GIT(閘極電流注入晶體管)600 V e-mode HEMT技術，搭配交錯式圖騰柱PFC拓撲，讓整體的效率獲得大幅提升。
650 V CoolSiC MOSFET TO247-4
這兩項指標性的設計案例成功地展示了結合雙方優勢所打造的優異成果。憑借英飛凌領先業界、以效能為導向、高可靠性的寬帶隙器件產品組合，以及臺達在電力電子系統的創新能力，共同實現電源供應器全新的效率水平，滿足甚至超越了現今80 Plus的標準。藉由雙方合作的深化，兩家企業希望透過英飛凌高質量且高性價比的寬帶隙技術，以及高度穩定的供貨能力，助力臺達為終端客戶提供更高能效的解決方案，在寬帶隙技術打造低碳應用的浪潮中取得領先地位。
臺達副總裁暨電源及系統事業群總經理尹旋博表示：“臺達每年投入超過8%的營收于研發創新，為服務器、電競計算機以及其他多元產業的客戶，提供高效、可靠的電源方案，滿足其對節能的需求。要在競爭激烈的市場中實現目標、取得成功，需要與值得信賴、對于電源系統領域充分理解的領先器件供貨商合作，并對特定應用提供客制化的解決方案。英飛凌是世界級的半導體和系統解決方案供貨商，也是臺達長期合作伙伴，其多元、高效的WBG產品協助我們打造領先業界的電源產品。”
英飛凌電源與感測系統事業部高效電源供應、隔離與連接事業線負責人Johannes Schoiswohl
英飛凌電源與感測系統事業部高效電源供應、隔離與連接事業線負責人Johannes Schoiswohl表示：“英飛凌對于寬帶隙產品生產規模的投入和卓越技術，加上著重于價值鏈上每一階段的質量與可靠性，是我們寬帶隙半導體業務能夠取得成功，并獲得客戶認同的關鍵因素。我們的器件采用嚴格的質量和可靠性測試程序，超越JEDEC標準的規格要求，因此可以預測我們寬帶隙器件的長期特性，確保在整個產品生命周期內的可靠性能。我們很高興能與我們的長期伙伴臺達，基于跨越20多年的合作與信賴，持續拓展合作項目，利用雙方在技術與系統領域的專長，為服務器及電競市場帶來符合未來需求的創新電源解決方案。”
http:www.mangadaku.com/news/2022-7/202278173238.html
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