電壓降僅為50mV的MOSFET冗余模塊YR80.241
作者：普爾世貿(mào)易（蘇州）有限公司 上傳時(shí)間：2011/9/8 11:50:23
摘要：本文介紹了普爾世MOSFET技術(shù)冗余模塊產(chǎn)品的技術(shù)特點(diǎn)，以及與傳統(tǒng)冗余模塊的性能對(duì)比，并對(duì)其功率損耗做了分析。
敘詞：冗余模塊 功率損耗 二極管
Abstract：The article introduces the technical characteristic of the PULS redundancy module with the MOSFET technology, and the comparison with the traditional diode redundancy module. Analyze the Power loss of the module.
Keyword：Redundancy module, Power loss, Diode
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－－本文摘自《電源世界》，已被閱讀8560次
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