您的位置：電源在線首頁>>技術文摘>>元器件>>1200V增強型碳化硅縱向結型場效應晶體管功率模塊正文

1200V增強型碳化硅縱向結型場效應晶體管功率模塊

摘要：最近的模塊研發工作已經生產出封裝在SP1模組中的快速開關，1200V、13mΩ、增強型SiC JFET半橋模塊。這些模塊由36mm2 SiC VJFET和23mm2肖特基管的并聯組合而成。在ID=100A條件下，獲得2.7mΩ-cm2的比導通電阻。開關測試采用了標準的雙脈沖感性負載電路，在600V、100 A、溫度分別為25℃和150℃的條件下，得到了歷史最低的總開關損耗——100A、150℃下為1.25mJ。本文詳細介紹測試的開關性能、所采用的柵極驅動電路，以及獲得這些結果推薦使用的緩沖器。 敘詞：模塊 SiC 柵極驅動 開關損耗 緩沖器 Abstract： Latest module research has made possible the production of fast switch that packed in SP1 module suit, an enhanced SiC JFET half-bridge module with 1200V and 13m. The modules are parallel-connected with 36mm2 SiC VJFET and 23mm2 SBD. Under ID=100A, it achieves the specific on-resistance 2.7m-cm2. Standard dual-pulse inductive load circuit is applied to test the switch. Under the condition of 600V, 100A, with temperature respectively being 25 and 150, it achieves record-lowest general switch loss: with 100A, and 150, it is 1.25mJ. The article introduces in detail the function of the switch, the grid drive circuit applied, and the bumper recommended to achieve the rusults. Keyword：Module, SiC, Grid drive, Switch loss, Bumper

我要發表評論：

驗證碼：

用戶名：  密碼：  

敬請注意：
·尊重網上道德，遵守中華人民共和國各項有關法律、法規
·遵守《全國人大常委會關于維護互聯網安全的決定》及《互聯網電子公告服務管理規定》
·承擔一切因您的行為而直接或間接導致的民事或刑事法律責任
·電源世界網網站管理人員有權保留或刪除留言中的任意內容
·您在本網站相關欄目發表的評論信息，本網站有權在網站內轉載或引用
·不要重復發布評論信息，評論內容不能超過200個字符
·參與本評論即表明您已經閱讀并接受上述條款