用于未來軌道牽引電路的雙SiC MOSFET 模塊的特性檢測
作者：張斌 上傳時間：2013/4/14 16:41:51
摘要：硅IGBT 已經(jīng)廣泛用于軌道牽引變頻器，不久的將來，碳化硅(SiC) 技術(shù)將在3 個方向上進(jìn)一步擴(kuò)展開關(guān)器件的極限：更高的阻斷電壓、更高的工作溫度和更高的開關(guān)速度。如今，第一批SiC MOSFET 模塊已經(jīng)有效的投向市場，并且很有希望。雖然目前在阻斷電壓方面仍有待提高，但這些寬禁帶器件將大大改善牽引電路的效率，尤其是在開關(guān)損耗上預(yù)期會有顯著的降低，從而導(dǎo)致功率- 重量比的大幅改善。
敘詞：IGBT，SiC，MOSFET，模塊，開關(guān)損耗，軌道牽引變頻器
Keyword：IGBT, SiC MOSFET, Module, Switch loss, Rail traction transducer
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－－本文摘自《電源世界》，已被閱讀9283次
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