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使用SiC技術(shù)攻克汽車挑戰(zhàn)

WInSiC4AP: 采用SiC寬帶隙創(chuàng)新技術(shù)開發(fā)先進(jìn)功率器件

摘要：在未來幾年投入使用SiC技術(shù)來應(yīng)對汽車電子技術(shù)挑戰(zhàn)是ECSEL JU 的WInSiC4AP項目所要達(dá)到的目標(biāo)之一。ECSEL JU和ESI協(xié)同為該項目提供資金支持，實現(xiàn)具有重大經(jīng)濟(jì)和社會影響的優(yōu)勢互補(bǔ)的研發(fā)活動。由DTSMNS（Distretto Tecnologico Sicilia Micro e Nano Sistemi）牽頭，20個項目合作方將在技術(shù)研究、制造工藝、封裝測試和應(yīng)用方面展開為期36個月的開發(fā)合作。本文將討論本項目中與汽車相關(guān)的內(nèi)容，重點介紹有關(guān)SiC技術(shù)和封裝的創(chuàng)新。

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