碳化硅MOSFET的短路實驗性能與有限元分析法熱模型的開發
上傳時間：2019/2/27 15:23:47
摘要：本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現。具體而言，該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量，并借助一個穩健的有限元法物理模型來證實和比較測量值，對短路行為的動態變化進行深度評估。
說明：本站會員正確輸入用戶名和密碼進行登錄系統后才能查看文章詳細內容和參與評論。
－－本文摘自《電源世界》，已被閱讀1909次
免責聲明：本文僅代表作者個人觀點，與電源在線網無關。其原創性以及文中陳述文字和內容未經本站證實，對本文以及其中全部或者部分內容、文字的真實性、完整性、及時性本站不作任何保證或承諾，請讀者僅作參考，并請自行核實相關內容。
：0755-82905460 郵箱 
：關于本文的網友評論：
本文暫時還沒有網友發表評論信息！
文章檢索