碳化硅MOSFET的短路實驗性能與有限元分析法熱模型的開發
上傳時間：2019/2/27 15:23:47
摘要：本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現。具體而言，該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量，并借助一個穩健的有限元法物理模型來證實和比較測量值，對短路行為的動態變化進行深度評估。
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－－本文摘自《電源世界》，已被閱讀1758次
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