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絕緣柵雙極晶體管IGBT特性與研發（一）

摘要：本文闡述了絕緣柵雙極晶體管IGBT的結構、靜態、動態特性、工作原理、關鍵技術及其應用情況，結合國內IGBT的發展現狀，探討了IGBT研發的技術動向。 敘詞：IGBT 結構 工作原理 特性 研制 Abstract：This paper elaborate insulated-gate bipolar transistor IGBT frame and static state and　dynamic characteristic and work elements and develop　aspect ，combine domestic IGBT developactuality，discuss IGBT develop technique pulse。 Keyword：IGBT frame work elements characteristic develop

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