大、中功率MOSFET與IGBT驅(qū)動電路方案探討
作者：徐小杰 侯振義 上傳時間：2004/12/9 8:59:41
摘要： 本文對應(yīng)用于大、中功率情況下的MOSFET與IGBT的驅(qū)動電路方案進(jìn)行了詳細(xì)的分析，并給出了具體的實(shí)現(xiàn)方案。
敘詞：驅(qū)動電路 集成驅(qū)動器 隔離
Abstract： This paper mainly discusses the driving circuit for MOSFET and IGBT used in high or medium power, and gives the concrete schema of realization respectively.
Keyword：driving circuit; integrated drives; isolation
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－－本文摘自《電源世界》，已被閱讀12966次
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