IGBT驅(qū)動(dòng)器輸出性能的計(jì)算
作者:Markus Hermwille 上傳時(shí)間:2008/12/15 15:27:57
摘要:絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)是應(yīng)用廣泛的功率半導(dǎo)體器件,驅(qū)動(dòng)器的合理設(shè)計(jì)對(duì)于IGBT的有效使用極為重要。本文就利用柵極電荷特性的考慮,介紹了一些計(jì)算用于開(kāi)關(guān)IGBT的驅(qū)動(dòng)器輸出性能的方法。
敘詞:IGBT,驅(qū)動(dòng)器,柵極電荷
Abstract:Isolated gate bipolar transistors (IGBTs) are widely used power semiconductor devices. Properly designed drivers are extremely important for the effective use of IGBTs. This article takes gate charge characteristics into account and then introduces some methods for calculating output performance of drivers used for switching IGBTs.
Keyword:IGBT, driver, gate charge
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--本文摘自《電源世界》,已被閱讀2719次
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