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2×8低噪聲InGaAs／InP APD讀出電路設計

摘要： 在紅外通信的1 310～1 550 nm波段，高靈敏度探測材料主要有Ge—APD和InGaAs／InP APD，兩者相比較，InGaAs／InP APD具有更高的量子效率和更低的暗電流噪聲。

　　In0.53Ga0.47As／InP APD采用在n+-InP襯底上依次匹配外延InP緩沖層、InGaAs吸收層、InGaAsP能隙漸變層、InP電荷層與InP頂層的結構。

　　APD探測器的最大缺點是暗電流相對于信號增益較大，所以設計APD讀出電路的關鍵是放大輸出弱電流信號，限制噪聲信號，提高信噪比。選擇CTIA作為讀出單元，CTIA是采用運算放大器作為積分器的運放積分模式，比較其他的讀出電路，優點是噪聲低、線性好、動態范圍大。

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