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CMOS集成電路潛在缺陷的最小電壓檢測

上傳時間:2009/8/20 10:58:06
摘要:  有潛在缺陷的芯片有可能通過生產測試,但是在實際應用中卻會引起早期失效的問題,進而引起質量問題。為了避免這個問題,就需要在產品賣給客戶之前檢測出這種有問題的芯片。一般的檢測技術包括Burn—in、IDDQ測試、高壓測試和低壓測試等。Burn—in是一種有效的也是目前應用最廣泛的測試技術,但是Burn—in的硬件設備相當昂貴,而且測試時間也比較長,從而間接地增加了產品的成本。IDDQ測試對于大規模集成電路,特別是亞微米電路效果不理想,主要是由于隨著電路規模的增加和尺寸的減少,暗電流也會增加。高壓檢測對電路中的異物連接,如金屬短路,也沒有很好的效果,甚至有時會掩蓋此類缺陷。在遠低于正常運行電壓的環境下,正常芯片和有缺陷的芯片有著不同的電性表現,因此可以根據正常芯片的數據設置最小電壓,根據此數值來判斷芯片是否合格。
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