MOSFET的規(guī)格書(shū)中,通常會(huì)給出MOSFET的特性參數(shù),如輸出曲線(xiàn)、輸出電壓、通態(tài)電阻RDS(ON)、柵極閥值電壓VGS(TH)等。在選擇MOSFET時(shí),需要根據(jù)電路的具體要求選擇適當(dāng)?shù)膮?shù)。同時(shí)注意,每個(gè)參數(shù)都有對(duì)應(yīng)的測(cè)試條件。
雖然在MOSFET的規(guī)格書(shū)中會(huì)給出很多參數(shù),但有五個(gè)參數(shù)是最重要的:首先要選擇合適的封裝;第二,要看擊穿電壓額定值(VDSS);第三,選擇適當(dāng)通態(tài)電阻RDS(on);第四,要看柵極電荷量QGD,它會(huì)影響開(kāi)關(guān)速度;第五,要看柵極閥值電壓VGS(TH),它是剛剛開(kāi)始形成導(dǎo)電溝道的柵、源極電壓。
擊穿電壓V(BR)DS是指PN結(jié)發(fā)生擊穿后,在輸出特性曲線(xiàn)中漏極電流ID從水平開(kāi)始迅猛上升時(shí)的漏源極電壓值,是在關(guān)斷時(shí)漏源極能承受的最大電壓。在規(guī)格書(shū)中,會(huì)給出結(jié)測(cè)試條件,比如結(jié)溫是25℃到150℃,參考標(biāo)準(zhǔn)是IEC600134。
當(dāng)MOSFET處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí),漏源極之間可以看做一個(gè)電阻,阻值通常是歐姆或者毫姆。該通態(tài)電阻是影響最大輸出的重要參數(shù),在開(kāi)關(guān)電路中它決定了信號(hào)輸出幅度與自身?yè)p耗。通態(tài)電阻會(huì)受到漏極電流、柵源極電壓與溫度的影響。在設(shè)計(jì)時(shí),可參考RDS曲線(xiàn)。
在MOSFET開(kāi)關(guān)期間,由于殘存電荷的存在,MOSFET會(huì)消耗很大的能量。這個(gè)開(kāi)關(guān)損耗,會(huì)使器件的溫度升高。開(kāi)關(guān)能量損耗,主要取決于柵極電荷量QGD,QGD較小的話(huà),開(kāi)關(guān)損耗就小。
柵極閥值電壓VGS(TH)表示開(kāi)始有規(guī)定的漏極電流時(shí)的最低柵極電壓。在工業(yè)應(yīng)用中,常將漏極短接條件下ID>1mA時(shí)的柵極電壓定義為閥值電壓。閥值電壓會(huì)隨結(jié)溫而變化,所以通常在規(guī)格書(shū)中會(huì)標(biāo)出其最小值和最大值。
ST1284-02A8RL
ST3243ECTR
ST72F621L4M1L
ST735CD-TR
STA013T
STB11NK50ZT4
STB4NB80T4
STBV32
STBV42
STBV45
STD100NH03LT4
STD1NK60
STD2N52
STD2NC60
STD7NB20T4
STK2NA60
STN3NE06
STP10NC50F
STP11NB40FP
STP16NB25
STP2NC60
STP3NC60FP
STP3NK90Z
STP4NK60Z
STP55NF06
STP6NB60
STP8NA50
STPR1620CT
STPS10L25D
STPS10L45CT
STPS10L60D
STPS120E
STPS15L60CB-TR
STPS160A
STPS20L15D
STPS3045CG-TR
STPS3045CT
STPS3045CW
STPS30L30
STPS30L30CG
STPS30L40CG
STPS30L45CG-TR
STPS4030CT
STPS40L45
STPS40L45CT
STPS41H100CG
STPS745FP
STQ1NC40
STQ1NC45
STQ1NC60R-AP
STQ1NC60R-AP
STS2DNF30L
STS3DPFS30
STTA806D
STTH2003CR
STTH5R06D
STW7NB80
STW8NB90
STB11NK50ZT4
制造商: STMicroelectronics
產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET Power
RoHS: 詳細(xì)信息
配置: Single
晶體管極性: N-Channel
封裝 / 箱體: D2PAK
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通): 0.48 Ohms
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) : 77 S
汲極/源極擊穿電壓: 500 V
閘/源擊穿電壓: +/- 30 V
漏極連續(xù)電流: 10 A
功率耗散: 125 W
最大工作溫度: + 150 C
封裝: Reel
最小工作溫度: - 55 C