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大功率晶體管特性測試儀

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信息類型:跳蚤市場    所屬類別:測試儀器
地區(qū)城市:陜西省 -西安 更新時間:2015-4-21 17:17:23
聯(lián) 系 人: 有效期限:2016-4-20 11:14:20
公司名稱:西安誼邦電子科技有限公司
電子信箱:xaybdz@163.com    聯(lián)系電話:13759984767
詳細描述

                            YB6600大功率晶體管圖示系統(tǒng)
  目前市場上用于來料檢測IGBT,IPM,MOS等功率的分立器件測試儀器多是在特定條件下測試某一點的特性,不能直觀了解器件在條件范圍內(nèi)各點的特性,在做測試、分析時非常不方便;圖示儀在測試、分析方面有優(yōu)勢,但測試速度慢,在來料檢測時用處不大,結(jié)合以上情況,為了滿足所有客戶群體的需求,我公司推出YB6600功率半導體圖示系統(tǒng)。yb6600測試主機配合yb6000軟件使用,可自動生成功率器件的i-v曲線,yb6600是一款很具有代表性的晶體管圖示儀。YB6600分立器件圖示儀適用于研究所、院校、軍工企業(yè)、電子產(chǎn)品廠家,iqc來料檢驗,失效分析等部門有廣泛的應用,可繪制半導體特性曲線,用做測試晶體管的直流參數(shù),(特性測試、圖示二合一)結(jié)果可以保存為txt\xls\bmp三種數(shù)據(jù)格式。
  YB6600分立器件圖示儀符合《JJF 1236-2010 半導體管圖示儀校準規(guī)范》和《GJB 128A-1997 半導體分立器件試驗方法》,可儀繪制13類器件32種曲線。
  一、YB6600分立器件圖示儀特點
  1.  曲線基于計算機顯示
  2.  多種器件的多種曲線
  3.  數(shù)據(jù)點是可控的
  4.  增量可以是線性或?qū)?shù)
  5.  可控的關(guān)斷時間,以減小器件發(fā)熱
  6.  可保存和調(diào)用曲線程序
  7.  保存和調(diào)用先前捕獲的曲線圖片
  8.  完全自動存儲數(shù)據(jù)到excel
  9.  預置最大電壓和最大電流限制防止器件損壞和發(fā)熱
  10. 存儲/調(diào)用測試程序
  11. 多樣的連續(xù)曲線
  12. 在測試程序中的電流限制
  13. 使用方便
  ①選擇曲線  ②輸入范圍  ③按下啟動
  14. 使用高速ATE系統(tǒng)生成曲線
  二、YB6600分立器件圖示儀系統(tǒng)指標
   a-k 極間加壓范圍:  ±2.500mv--2000v  
   a-k 極間測流范圍:  ±100pa--49.90a      
   a-k 極間加流范圍:  ±100na--49.90a   
   a-k 極間測壓范圍:  ±2.500mv--2000v 
   g-k 極間加壓范圍:  ±2.500mv--20v   
   g-k 極間測流范圍:  ±100pa--10a        
   g-k 極間加流范圍:  ±100na--10a      
   g-k 極間測壓范圍:  ±2.500mv--20v
   a-k 極間加/測壓精度:  1%+10mv
   a-k 極間加/測流精度:  1%+10na+20pa/v
   g-k 極間加/測壓精度:  1%+5mv
   g-k 極間加/測流精度:  1%+10na+20pa/v
   電參數(shù)測試重復性:  2%
   最大電壓分辨率:  1mv
   最大電流分辨率:  0.1na


  三、YB6600分立器件圖示儀可實現(xiàn)曲線(13類器件32種曲線)
  1、mosfet(n-channel&p- channel)(金屬-氧化物-半導體 場效應管)
  id vs vds (在vgs范圍內(nèi))
  id vs vgs (在一個固定的id)
  is vs vsd
  rds vs vgs (在一個固定的vds)
  rds vs id (在vgs范圍內(nèi))
  2、晶體管(transisitor)
  hfe vs ic
  bvce(o.s.r.v) vs ic
  bvebo vs ie
  bvcbo vs ic
  vce(sat)(在一定的ic/ib比率)
  vce(sat) vs ib(在ic的范圍內(nèi))
  vbe(sat) vs ib (在一定的ic/ib比率)
  vbe(on) vs ic (在一定的vce)
  3、igbt(n-channel&p- channel)(絕緣柵雙極晶體管)
  ic vs vce (在vge范圍內(nèi))
  ic vs vge (在一定的vce)
  ices vs vce
  if vs vf
  4、diode (二極管)
  if vs vf
  ir vs vr
  5、zener (穩(wěn)壓管)
  if vs vf
  ir vs vr
  6、triac (雙向可控硅)
  it vs vt(+/-)  (在一個固定的ig)
  7、scr (單項可控硅)
  it vs vtm (在一個固定的ig)
  8、ssvop(固態(tài)過壓保護器)
  it vs vt(+/-)  (在一個固定的ibo)
  9、sidac(高壓觸發(fā)二極管)
  it vs vt(+/-)  (在一個固定的ibo)
  10、diac(雙向觸發(fā)二極管)
  id vs vf(+/-)
  11、regulator(穩(wěn)壓器)
  electronic load vs v out(在一個固定最大電流)
  12、j-fet((n-channel&p- channel)) (結(jié)型場效應管)
  id(off) vs vds(在vgs范圍內(nèi))
  id(off) vs vgs(在一個固定的vds)
  id(on) vs vds(在vgs范圍內(nèi))
  id(on) vs vgs(在一個固定的vds)
  13、curve tracer mode only(曲線跟蹤模式)
  ic vs vce(在一個固定的ib)
  
  

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