東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅（SiC）MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導通電阻，可顯著降低開關損耗。該系列10款產品包括5款1200V產品和5款650V產品，已于今日開始出貨。
新產品的單位面積導通電阻（RDS(ON)A）下降了大約43%[3]，從而使“漏源導通電阻×柵漏電荷（RDS(ON)×Qgd）”降低了大約80%[4]，這是體現導通損耗與開關損耗間關系的重要指標。這樣可以將開關損耗減少大約20%[5]，同時降低導通電阻和開關損耗。因此，新產品有助于提高設備效率。
東芝將進一步壯大其功率器件產品線，強化生產設施，并通過提供易于使用的高性能功率器件，努力實現碳中和經濟。
應用：
-開關電源（服務器、數據中心、通信設備等）
-電動汽車充電站
-光伏變頻器
-不間斷電源（UPS）
特性：
-單位面積導通電阻低（RDS(ON)A）
-低漏源導通電阻×柵漏電荷（RDS(ON)×Qgd）
-低二極管正向電壓：VDSF＝-1.35V（典型值）VGS＝-5V
主要規格：
（除非另有說明，Ta＝25℃）
注：
[1]通過采用為第二代SiC MOSFET開發的內置肖特基勢壘二極管的架構，東芝開發出一種可降低單位面積導通電阻（RDS(ON)A），同時降低JFET區域反饋電容的器件架構。
[2]MOSFET：金屬氧化物半導體場效應晶體管。
[3]當第二代SiC MOSFET的RDS(ON)A被設為1時，與新款1200V SiC MOSFET比較。東芝調研。
[4]當第二代SiC MOSFET的RDS(ON)*Qgd被設為1時，與新款1200V SiC MOSFET比較。東芝調研。
[5]新款1200V SiC MOSFET和第二代SiC MOSFET比較。東芝調研。