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中國是世界上的能源消耗大國，由于中國能源生產(chǎn)的短缺和不均衡，已連續(xù)幾年出現(xiàn)“電荒”現(xiàn)象。為解決“電荒 ”問題，我國政府也頒布了一些法令以提高能效。目前我國已經(jīng)開始針對某些產(chǎn)品提出能效要求，而且還對冰箱、空調(diào)、洗衣機(jī)之類的產(chǎn)品進(jìn)行能效標(biāo)志，此外，歐美發(fā)達(dá)國家對某些電子產(chǎn)品有直接的能效要求，如果國內(nèi)想要出口，就必須滿足其能效要求，所有這些提高能效的要求將會給功率器件市場帶來更大的機(jī)會。
除了能效需求之外，各個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域的下游制造市場將拉動未來我國功率芯片市場的快速發(fā)展。目前，我國已經(jīng)是很多IT數(shù)碼產(chǎn)品的生產(chǎn)基地。未來，筆記本、LCD顯示器和數(shù)字電視等產(chǎn)品的產(chǎn)量還將保持快速增長，我國功率半導(dǎo)體市場將在下游整機(jī)市場需求的帶動下保持平穩(wěn)快速的發(fā)展。3G應(yīng)用的推廣必將為成為我國網(wǎng)絡(luò)通信類功率半導(dǎo)體市場新的增長點(diǎn)，從而帶動我國功率半導(dǎo)體市場的發(fā)展，高清電視等方面的應(yīng)用也將在一定程度上刺激我國功率半導(dǎo)體市場的快速發(fā)展。
隨著產(chǎn)品能效要求的提高以及開關(guān)頻率的提高，功率IC、MOSFET和 IGBT將是增長最快的產(chǎn)品，功率IC將向功能更強(qiáng)、體積更小的方向發(fā)展， MOSFET也將向?qū)娮韪汀⒛蛪焊吆屯庑胃〉姆较虬l(fā)展，IGB T使用HVIC進(jìn)行驅(qū)動的比例將會提高，類似SPM和IPM的智能模塊將會占有更高的市場份額。
雖然全球市場發(fā)展趨緩，但國內(nèi)市場下游整機(jī)需求依然旺盛，我國功率半導(dǎo)體市場仍然以較快速度發(fā)展，20 05年我國功率半導(dǎo)體市場銷售額達(dá)到448.1億元，實(shí)現(xiàn)26.8%的增長率，明顯高于全球8.2%的增長水平。 但與2004年功率芯片市場相比，2005年我國市場26.8%的增長率明顯低于2004年37.1%的增長率，這主要由于國內(nèi)網(wǎng)絡(luò)通信類和工業(yè)控制類功率芯片市場發(fā)展速度趨緩所致。憑借MP3和數(shù)碼相機(jī)等數(shù)碼消費(fèi)類市場的高速發(fā)展對消費(fèi)類功率芯片的市場需求，消費(fèi)電子領(lǐng)域成為2005年我國功率半導(dǎo)體的最大應(yīng)用市場，占24.6%的市場份額。筆記本、PC和顯示器產(chǎn)量的增加使得計(jì)算機(jī)類所占份額有所提升，達(dá)到18.7%。
電源管理IC和MOSFET是應(yīng)用比較廣泛的產(chǎn)品，在消費(fèi)電子、工業(yè)控制、計(jì)算機(jī)、汽車電子中都大量使用。得益于近年來國內(nèi)整機(jī)產(chǎn)量的增加，電源管理IC和MOSFET需求量保持快速增長。現(xiàn)階段雖然IGBT市場份 額較小，但發(fā)展快速，其中以1700V以下的應(yīng)用最為成熟。IGBT憑借著較強(qiáng)的耐壓水平以及較高的開關(guān)頻率在一些工業(yè)控制產(chǎn)品中逐步替代SCR、 GTR成為核心器件。憑借著在電磁爐、數(shù)碼相機(jī)閃光燈、變頻家電中的應(yīng)用，消費(fèi)電子成為IGBT的又一重要應(yīng)用領(lǐng)域。晶閘管是較為成熟的半導(dǎo)體功率器件，在工業(yè)領(lǐng)域中廣泛使用。整流管和雙極晶體管技術(shù)最為成熟，其應(yīng)用也十分廣泛，隨著各種電子設(shè)備開關(guān)頻率的提高，上述產(chǎn)品的開關(guān)頻率將難以滿足要求，其應(yīng)用將會被MOSFET和IGBT的器件進(jìn)一步取代。但由于其成本相對較低，在對于頻率要求不高的產(chǎn)品中還將廣泛使用，將來還將會保持一定的市場份額。
在市場競爭格局上，目前我國分立器件市場中，國外廠商占據(jù)絕對優(yōu)勢，中國市場90%以上的市場份額被國外廠商占據(jù)。 |
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