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美國英特爾2006年9月25日在“英特爾開發商論壇（IDF）”（2006年9月26日～28日，美國舊金山）面向記者召開的會前說明會上，介紹了該公司的研發情況及部分研發成果。其中，介紹時間最長的是9月18日剛剛發表的混合型硅激光技術的細節。
此次，英特爾在介紹混合型硅激光元件時強調了以下幾點：（1）在InP底板上形成的AlGaInAs發光層與Si導波路粘合時無需校準位置；（2）憑借“倏逝波耦合”現象從發光層向硅導波路傳輸光線；（3）可輕松集成在英特爾構想的“萬億次計算（Terascale Computing）”系統上，等等。
不需要校準位置是因為該元件像“墻壁照明”一樣使用發光層。因此，即使將具有不同振蕩波的多束激光聚集在1枚芯片上時，也無需改變發光層及InP底板的組成及形狀，可直接使用。不過與墻壁照明不同是，整個發光層實際上并不發光。而是采用在發光層與硅導波路粘合后，只有封裝電極的地方發光的設計。在發光層與硅導波路粘合時，使用名為“glass-glue”的離子狀薄型氧化膜。通過采用該方法，無需使用在具有不同晶格常數的結晶間實現復雜結晶成長的技術即可粘合。
“原有光互連技術的成本要遠遠高于電氣傳輸。其中大部分成本由封裝時需要校準位置而產生。而此次的技術則具有可實現高集成度和低成本的優點，”英特爾通信技術實驗室負責人、高級研究員凱文·康（Kevin Kahn）。
（2）倏逝波耦合是一種采用不向遠方傳播的光來接受能量的方法。如果采用這一方法，振蕩波長將取決于硅導光線路的設計，而不是InP中的能帶隙。
英特爾打算將該技術應用于為1枚芯片即可實現1TFLOPS運算速度而配備超高速LSI的板卡間的連接。通過利用25種不同的波長收發以40Gbps變頻的光信號，即可實現1Tbps的數據傳輸速度。“目標是該技術在4～5年后達到實用水平”凱文·康說道。（野澤 哲生） |
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