電腦芯片中的元件有的僅僅只有40納米,還不到人頭發(fā)絲的千分之一。這些元件在美國國家標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)研究所的物理學(xué)家、工程師、統(tǒng)計(jì)學(xué)家和其它有關(guān)人員不懈的努力下已經(jīng)可以被精確的標(biāo)度和校準(zhǔn),使得電子電路的生產(chǎn)更加現(xiàn)代化。
美國國家標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)研究所研究的這種新型測(cè)量方法歷時(shí)四年研究而成,通過測(cè)量原子衍射電子產(chǎn)生的間距的算法,算出元件的直徑,提供了一種測(cè)量嵌入式芯片中的精密線形元件的方法。40納米至275納米的植入晶體硅中的元件都可以用此方法進(jìn)行測(cè)量。生產(chǎn)商可以用這種校準(zhǔn)方法校準(zhǔn)微處理器的電子電路,比如芯片中控制電子流動(dòng)部分的元器件。
研究所參與研究的一位研究員Richard Allen說道,在半導(dǎo)體行業(yè)中,必須全力以赴才能保持生存。這項(xiàng)研究就是為了測(cè)量線性材料而開展的。
這種新型的參考標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量物被安置在晶體硅片中,經(jīng)過同國家標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)研究所2001年生產(chǎn)的樣本進(jìn)行對(duì)比發(fā)現(xiàn),這種新的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量物提供了更寬的測(cè)量范圍,能測(cè)量的元器件更細(xì)小。測(cè)量精度也從原來的14納米提高為小于2納米。在這種新的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量物問世以前,各個(gè)生產(chǎn)公司都是通過各自內(nèi)部的標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行測(cè)量的。
3月2日,在加州圣何塞舉辦的國際社會(huì)光學(xué)工程會(huì)議上,國家標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)研究所、SEMATECH公司將正式向社會(huì)公布此項(xiàng)成果。
美國國家標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)研究所研究的這種新型測(cè)量方法歷時(shí)四年研究而成,通過測(cè)量原子衍射電子產(chǎn)生的間距的算法,算出元件的直徑,提供了一種測(cè)量嵌入式芯片中的精密線形元件的方法。40納米至275納米的植入晶體硅中的元件都可以用此方法進(jìn)行測(cè)量。生產(chǎn)商可以用這種校準(zhǔn)方法校準(zhǔn)微處理器的電子電路,比如芯片中控制電子流動(dòng)部分的元器件。
研究所參與研究的一位研究員Richard Allen說道,在半導(dǎo)體行業(yè)中,必須全力以赴才能保持生存。這項(xiàng)研究就是為了測(cè)量線性材料而開展的。
這種新型的參考標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量物被安置在晶體硅片中,經(jīng)過同國家標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)研究所2001年生產(chǎn)的樣本進(jìn)行對(duì)比發(fā)現(xiàn),這種新的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量物提供了更寬的測(cè)量范圍,能測(cè)量的元器件更細(xì)小。測(cè)量精度也從原來的14納米提高為小于2納米。在這種新的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量物問世以前,各個(gè)生產(chǎn)公司都是通過各自內(nèi)部的標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行測(cè)量的。
3月2日,在加州圣何塞舉辦的國際社會(huì)光學(xué)工程會(huì)議上,國家標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)研究所、SEMATECH公司將正式向社會(huì)公布此項(xiàng)成果。
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本文鏈接:美國國家標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)研究所(NIST)研制
http:www.mangadaku.com/news/2005-2/2005228103335.html
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