飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)推出最小尺寸的互補對稱MOSFET器件——FDC6020C,為微型“點”功率應用和負載點(POL) DC/DC開關轉換器設計提供高于1A的持續電流。該器件將兩個MOSFET集成在一個超小型的SuperSOT-6 FLMP封裝(倒裝導模封裝)中。

FDC6020C具有良好的熱性能和高效率特性,適用于機頂盒、數碼相機和硬盤驅動器等產品。該器件的低壓門限(VGS = 2.5V)可簡化采用3.3V總線轉換器或單節鋰離子電池供電的設計。當沒有高門驅動電壓時,使用FDC6020C則無需設計充電泵電路。此外,該器件的每一個MOSFET都具有優良的RDS(on)特性(在4.5V時, P溝道為52mΩ,N溝道為27mΩ)。FDC2060C的結點至外殼熱阻抗(1℃/W)及結點至周邊環境熱阻抗(68℃/W)有助于達到最高電流密度,并同時維持最佳工作溫度。
FDC6020C采用SuperSOT-6 FLMP封裝,其面積僅為9mm2,最大側高為0.8mm。這種先進的封裝形式無須傳統的金屬線連接,不但提供低電阻抗,而且可以維持所需的關鍵性機械公差特性,使到晶片反面和封裝反面共面。這種共面結構在PCB和MOSFET晶片(漏極連接)之間提供低熱阻抗通路。
這種無鉛產品能達到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020D標準要求,并符合將于2005年生效的歐盟標準。FDC6020器件有現貨供應,訂購1, 000個時每個0.76美元(僅供參考)。交貨期為收到訂單后8周內。

FDC6020C具有良好的熱性能和高效率特性,適用于機頂盒、數碼相機和硬盤驅動器等產品。該器件的低壓門限(VGS = 2.5V)可簡化采用3.3V總線轉換器或單節鋰離子電池供電的設計。當沒有高門驅動電壓時,使用FDC6020C則無需設計充電泵電路。此外,該器件的每一個MOSFET都具有優良的RDS(on)特性(在4.5V時, P溝道為52mΩ,N溝道為27mΩ)。FDC2060C的結點至外殼熱阻抗(1℃/W)及結點至周邊環境熱阻抗(68℃/W)有助于達到最高電流密度,并同時維持最佳工作溫度。
FDC6020C采用SuperSOT-6 FLMP封裝,其面積僅為9mm2,最大側高為0.8mm。這種先進的封裝形式無須傳統的金屬線連接,不但提供低電阻抗,而且可以維持所需的關鍵性機械公差特性,使到晶片反面和封裝反面共面。這種共面結構在PCB和MOSFET晶片(漏極連接)之間提供低熱阻抗通路。
這種無鉛產品能達到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020D標準要求,并符合將于2005年生效的歐盟標準。FDC6020器件有現貨供應,訂購1, 000個時每個0.76美元(僅供參考)。交貨期為收到訂單后8周內。
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本文鏈接:飛兆推出最小尺寸MOSFET器件,持續
http:www.mangadaku.com/news/2005-1/200517103636.html
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