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安森美半導體推出業內首個用于VR11電源管理的雙緣控制器(圖)

NCP5381展示的性能可以實現計算和消費電子應用中性價比更高的電源子系統

　　安森美半導體推出業內首個異步雙緣(dual-edge)脈沖寬度調制(PWM)控制器NCP5381。這全新控制器適用于快速瞬流響應和先進電源管理極為關鍵的應用，如奔騰4處理器主板、VRM模塊和圖形卡。

　　安森美半導體模擬計算產品總監施寶(Michael Stapleton)表示：“通過使用工作個人電腦主板，安森美半導體推出了符合VR10和VR11性能的雙緣NCP5381 PWM控制器�？催^現場展示的客戶對控制器的印象十分深刻，因為其性能優異，可以方便地集成到現有的主板設計中，且最終可以幫助降低其Vcore核心電壓電源管理子系統的總體成本�！�

　　電平增高和電流轉換更快是長期發展趨勢，故CPU電源設計人員面臨的主要挑戰之一在于特定主板上的CPU電壓必須保持穩定，而有源功率要求有波動。NCP5381的設計使電源管理子系統響應用戶激活高性能計算功能，對負載瞬流的響應明顯比現有業內單緣、鎖存、時鐘或同步調制產品更快。這讓子系統的工作頻率更低，而且與現有調制方法相比，保持電容更少、更小。其結果是得到更加緊湊的解決方法，需要更少外部元件，因此比現有解決方法的性價比更高。

　　產品特性

　　* 雙緣PWM對瞬變負載快速初始響應
　　* 正在申請專利的動態參考注入(Dynamic Reference Injection)
　　* +0.5%系統電壓精確度
　　* 符合VR11的遠程溫度檢測
　　* 與VR10逆向兼容
　　* “無損”差分電感電流檢測

　　安森美半導體高級副總裁兼模擬產品部總經理施禮賢 (Larry Sims) 說：“業內已廣泛認為CPU功率控制--特別是Vcore核心電壓功率控制--的下一步，將需要昂貴的數字控制系統以克服今天同步控制器架構的性能限制。安森美半導體的PWM控制器成功推出后，我們已證明這創新的雙緣架構，能夠為先進CPU功率控制提供高性能的解決方案，性價比遠高于數字或其他模擬平臺�！�

　　完整的解決方案

　　除NCP5381外，安森美半導體的CPU功率控制4相解決方案還包括四個獨立12伏 (V) NCP3418B MOSFET門極驅動器，用于同步降壓。這些產品采用SOIC-8和DFN-10無鉛封裝。八個25 V、單N-溝道MOSFET也是雙緣Vcore核心電壓子系統解決方案的一部分，包括四個45安培(A)的NTD50N03R MOSFET和四個65 A的NTD65N03R MOSFET。這些器件的RDS(ON)門極電荷以及逆向恢復電荷較小，而且使用無鉛DPAK封裝。一個驅動器和兩個MOSFET用于驅動NCP5381的四個輸出相位。

　　供貨日期

　　NCP5381MNR2G采用40引腳無鉛QFN封裝�，F備樣品供索，計劃于2006年第一季度投入生產。更多信息，請發送郵件至Michael.Stapleton@onsemi.com或致電1-602-244-5027與Mike Stapleton聯系。

　　NCP5381拓展了安森美半導體現有計算應用中的DDR控制器、通用控制器、MOSFET和分立產品的產品系列。如欲了解更多有關安森美半導體器件的信息，請訪問www.onsemi.com.cn。

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