京瓷日前確立了可將硅用量減少至目前1/5的“球狀硅太陽(yáng)能電池”的開發(fā)計(jì)劃。今后,將以2006年內(nèi)投產(chǎn)為目標(biāo)加緊開發(fā)量產(chǎn)技術(shù)。
當(dāng)前,作為太陽(yáng)能電池材料的硅的供應(yīng)日益緊張,業(yè)界對(duì)有助于降低成本的硅用量削減技術(shù)也加大了開發(fā)力度。減少硅用量的方法包括:將硅底板厚度減小至200μm左右、減小與硅底板厚度差不多的切割損失等。京瓷也已經(jīng)開發(fā)出可將硅底板厚度減小30%左右的技術(shù)。
此次可以有效削減硅用量,得益于將硅加工成直徑在1mm以下的球狀鋪在底板上的新方法。由于無需從錠鐵中切割出來的工序,因此可有效削減切割損失,將硅用量減至目前的1/5。不過,此次并未公布電池結(jié)構(gòu)和轉(zhuǎn)換效率等技術(shù)詳情。
除京瓷外,Clean Venture 21等數(shù)家公司也在開發(fā)球狀硅太陽(yáng)能電池。Clean Venture 21采用在球狀硅周圍安裝反射板收集光線的構(gòu)造,并計(jì)劃在2006財(cái)年為面板廠商供貨。與京瓷一樣,該技術(shù)也可將硅用量減至目前的1/5。球狀硅通過滴下熔化后的硅、利用其表面張力制成。
當(dāng)前,作為太陽(yáng)能電池材料的硅的供應(yīng)日益緊張,業(yè)界對(duì)有助于降低成本的硅用量削減技術(shù)也加大了開發(fā)力度。減少硅用量的方法包括:將硅底板厚度減小至200μm左右、減小與硅底板厚度差不多的切割損失等。京瓷也已經(jīng)開發(fā)出可將硅底板厚度減小30%左右的技術(shù)。
此次可以有效削減硅用量,得益于將硅加工成直徑在1mm以下的球狀鋪在底板上的新方法。由于無需從錠鐵中切割出來的工序,因此可有效削減切割損失,將硅用量減至目前的1/5。不過,此次并未公布電池結(jié)構(gòu)和轉(zhuǎn)換效率等技術(shù)詳情。
除京瓷外,Clean Venture 21等數(shù)家公司也在開發(fā)球狀硅太陽(yáng)能電池。Clean Venture 21采用在球狀硅周圍安裝反射板收集光線的構(gòu)造,并計(jì)劃在2006財(cái)年為面板廠商供貨。與京瓷一樣,該技術(shù)也可將硅用量減至目前的1/5。球狀硅通過滴下熔化后的硅、利用其表面張力制成。
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本文鏈接:京瓷球狀硅太陽(yáng)能電池開發(fā)計(jì)劃確立
http:www.mangadaku.com/news/2005-11/2005113094756.html
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