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安捷倫科技推出Agilent 4075和4076 DC RF脈沖參數(shù)測試儀

　　安捷倫科技日前宣布推出Agilent 4075和4076 DC/RF/脈沖參數(shù)測試儀，用來鑒定使用高級工藝技術(shù)(如65nm技術(shù)節(jié)點)制造的器件。通過Agilent 4075和4076，半導(dǎo)體測試工程師可以同時測量RF特點和DC特點，以滿足當(dāng)前體積日益縮小的多樣化半導(dǎo)體器件需求，如65nm及更高工藝的超薄柵氧化物晶體管、絕緣體上硅(SOI)晶體管和高介電常數(shù)(高k)器件。

　　Agilent 4075和4076為精確鑒定新的器件結(jié)構(gòu)提供了所需的靈活性，如超薄柵氧化物MOSFET，或通信應(yīng)用中使用的高速半導(dǎo)體器件。這兩款測試儀支持10ns短脈沖式IV測量，如高速邏輯應(yīng)用中使用的SOI晶體管和高介電常數(shù)晶體管。此外，Agilent 4076支持直到1fA的超低電流測量功能。

　　與整個4070系列一樣，Agilent 4075和4076支持行業(yè)標準300mm SECS/GEM自動化協(xié)議，保證制造設(shè)備共享一致的界面和行為。

　　現(xiàn)代超薄柵MOSFET容易受到電子隧道的影響。為鑒定其電容和電壓(CV)行為特點，測量頻率必需超過幾兆赫。但是，高頻CV (HFCV)及實現(xiàn)鑒定必需的射頻頻率CV (RFCV)測量技術(shù)之間相互抵觸。Agilent 4075和4076同時支持HFCV (4294A)儀器和RFCV (ENA/PNA)儀器，使得用戶能夠選擇最佳方法，滿足自己的工藝技術(shù)和生產(chǎn)測試需求。

　　Agilent 4075和4076都把高速電容測量單元(CMU)集成到測試頭中。這一功能可以在1kHz - 2MHz頻率范圍內(nèi)，對層間/層內(nèi)氧化物進行快速電容測量，從而改善吞吐量，降低測試成本。

　　安捷倫的這兩款測試儀都支持利用PNA進行RF的S參數(shù)測試功能，相對于目前市面上使用VNA的解決方案，以PNA為主的RF解決方案可提供更高的產(chǎn)出速度。此外，Agilent 4076還為生產(chǎn)測試提供了實驗室測試功能。

　　Agilent 4075和4076所有的RF、HFCV和超短脈沖式IV測量功能都可以在整個新設(shè)計的直接對接接口上使用。這種直接對接的設(shè)計可通過自動化的探針卡更換機制，讓使用者輕易地控制和變換探針卡，而且這種RF直接對接的方式也不會減少任何的DC針腳。

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