您的位置：電源在線首頁>>行業(yè)資訊>>新品速遞>>東芝新型功率MOSFET 開關(guān)特性業(yè)界最低正文

東芝新型功率MOSFET 開關(guān)特性業(yè)界最低

　　東芝日前開發(fā)出了導(dǎo)通電阻僅4Ωmm2的功率MOSFET產(chǎn)品“TK15A60S”，導(dǎo)通電阻比原產(chǎn)品降低了約60%。柵-漏極間的寄生電容為27nC，作為功率MOSFET開關(guān)特性指標(biāo)的Ron×Qgd（導(dǎo)通電阻與柵-漏極間寄生電容的乘積）比該公司原產(chǎn)品降低約1/4。Ron×Qgd為“業(yè)界最低”（東芝）。主要面向電視機(jī)等家電類AC適配器等領(lǐng)域。耐壓600V。源-漏極間的額定電流為15A。閾值電壓為＋3.0V～＋5.0V。2005年3月23日開始供應(yīng)樣品，計(jì)劃從4月開始以月產(chǎn)100萬個(gè)的規(guī)模投入量產(chǎn)。　
　　
　　為了降低導(dǎo)通電阻與寄生電容，此次采用了名為“Super Junction結(jié)構(gòu)”的豎型晶體管結(jié)構(gòu)。作為普通的豎型晶體管結(jié)構(gòu)，為了降低導(dǎo)通電阻而提高n型雜質(zhì)濃度后，耐壓便會(huì)隨之下降。而Super Junction結(jié)構(gòu)的耐壓本來就可以設(shè)計(jì)得很高，即便提高雜質(zhì)濃度，也能夠在不犧牲耐壓的情況下降低導(dǎo)通電阻。采用Super Junction結(jié)構(gòu)的功率MOSFET，德國英飛凌科技等歐美廠商已經(jīng)開始投產(chǎn)。此次，東芝在業(yè)界首次采用一項(xiàng)在元件中設(shè)計(jì)深溝道（deep trench）的溝道技術(shù)，形成了Super Junction結(jié)構(gòu)。采用深溝道技術(shù)，可以簡化Super Junction結(jié)構(gòu)的形成工藝。

   免責(zé)聲明：本文僅代表作者個(gè)人觀點(diǎn)，與電源在線網(wǎng)無關(guān)。其原創(chuàng)性以及文中陳述文字和內(nèi)容未經(jīng)本站證實(shí)，對本文以及其中全部或者部分內(nèi)容、文字的真實(shí)性、完整性、及時(shí)性本站不作任何保證或承諾，請讀者僅作參考，并請自行核實(shí)相關(guān)內(nèi)容。

關(guān)于該條新聞資訊信息已有0條留言，我有如下留言：

請您注意：
·遵守中華人民共和國的各項(xiàng)有關(guān)法律法規(guī)
·承擔(dān)一切因您的行為而導(dǎo)致的法律責(zé)任
·本網(wǎng)留言板管理人員有權(quán)刪除其管轄的留言內(nèi)容
·您在本網(wǎng)的留言內(nèi)容，本網(wǎng)有權(quán)在網(wǎng)站內(nèi)轉(zhuǎn)載或引用
·參與本留言即表明您已經(jīng)閱讀并接受上述條款

驗(yàn)證碼：

用戶名： 密碼： 匿名留言   免費(fèi)注冊會(huì)員