國(guó)際整流器公司(International Rectifier, IR)推出可用于12V、100A有源OR的新型參考設(shè)計(jì),與同類方案相比可減小FET的數(shù)量。由于它采用該公司的DirectFET MOSFET雙邊冷卻功能,使該方案的體積也降低了60%。
IR的新型OR參考設(shè)計(jì)為設(shè)計(jì)師們提供了測(cè)試IR新款OR IC功能的新方法,采用該IR5001S的IR電路和DirectFET MOSFET可降低板載功耗,而且比同等功率級(jí)別的二極管方案體積小,它的關(guān)斷延時(shí)時(shí)間為130ns。
該參考設(shè)計(jì)包括四個(gè)并行連接的IRF6609 20V、2mΩ DirectFET MOSFET,有效開態(tài)電阻為0.5mΩ,可用于具有快速故障診斷的高效OR電路。該參考設(shè)計(jì)支持“FET檢測(cè)”功能,允許實(shí)時(shí)檢測(cè)FET狀態(tài),提高高功率系統(tǒng)的可靠性。
IR的新型OR參考設(shè)計(jì)為設(shè)計(jì)師們提供了測(cè)試IR新款OR IC功能的新方法,采用該IR5001S的IR電路和DirectFET MOSFET可降低板載功耗,而且比同等功率級(jí)別的二極管方案體積小,它的關(guān)斷延時(shí)時(shí)間為130ns。
該參考設(shè)計(jì)包括四個(gè)并行連接的IRF6609 20V、2mΩ DirectFET MOSFET,有效開態(tài)電阻為0.5mΩ,可用于具有快速故障診斷的高效OR電路。該參考設(shè)計(jì)支持“FET檢測(cè)”功能,允許實(shí)時(shí)檢測(cè)FET狀態(tài),提高高功率系統(tǒng)的可靠性。
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http:www.mangadaku.com/news/2005-7/20057121097.html
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