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安森美推出高度僅0.5mm的ESD抑制器件(圖)

　　安森美半導體(ON Semiconductor)公司推出μESD (微型ESD)雙串聯高性能微型封裝靜電放電(ESD)保護二極管。該器件專為電壓敏感元件提供雙線保護而設計，適于需要最小板面積和低高度的應用，如手機、MP3播放器和便攜式游戲系統。

　　安森美半導體小信號部市場營銷主管Gary Straker介紹說：“對致力于滿足嚴格的ESD標準的設計人員而言，安森美半導體的μESD雙器件提供了替代常用多層可變電阻(MLV)的令人注目的方案。μESD雙器件可以在小于兩個0402 MLV的板面積內保護兩條線路，同時具有多種性能優勢，包括鉗制電壓較低、漏電較少、響應時間較短，且能夠承受多次ESD沖擊，而在電氣性能上無偏移。”

　　這些器件設計采用目前市場上最小的3引腳塑料封裝來獲取最佳的ESD抑制性能。μESD雙串聯可在不足一納秒內鉗制30kV ESD瞬流(符合IEC61000-4-2標準)，確保電壓敏感元件受到保護。這些器件可將ESD脈沖電壓鉗制至低于7V，以保護最敏感的系統并減小對電路功能的干擾。

　　μESD雙串聯系列的另一特性在于采用超小的SOT-723封裝。由于其外形尺寸僅為1.2×1.2mm，因此適合于板面積受限的設計。由于此封裝的高度僅有0.5mm，設計人員因此能夠在不影響功能的同時，實現高度的最小化。這種串聯將雙線保護集成入一個封裝中，可以進一步減小所需的板面積和系統元件數量，從而簡化了封裝工藝。這些新型ESD保護器件關斷狀態的漏電電流僅為0.05μA，非常適于手持式產品應用。它們的電容僅為35pF，適于為數據速率高達10Mb/s的數據線提供保護。

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