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三星成功開發出50納米16千兆半導體

　　據朝鮮日報報道，三星電子在世界上首次成功開發出了商用化50納米技術的16千兆NAND閃存半導體。三星電子此次成功開發出的16千兆NAND閃存，利用相當于頭發直徑2000分之1的50納米技術，該半導體內存芯片的容量相當于在指甲大小的芯片內集中164億個集成電路。三星電子方面稱，利用該芯片可制造32千兆內存卡，可以存儲日報200年分量、DVD電影20部（32小時）、8000首MP3文件。
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　　三星電子計劃明年下半年開始批量生產16千兆NAND閃存，預計未來10年內將形成140億美元規模的市場。今天，三星電子總管半導體項目的黃昌圭總經理在新羅酒店舉行的記者座談會上稱：“去年成功開發出8千兆NAND閃存之后，今年又成功開發出集成度高2倍的16千兆半導體。”并預測：“因此，以后MP3、手機、電子辭典等搭載閃存的高容量數碼設備市場將會爆發性地增長�！�
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　　黃昌圭還稱：“人類在2千多前發明了紙，現在人類通過新的儲存媒介——閃存掀起了第2次紙革命，開創了數碼紙時代。在不遠的將來，膠卷、磁帶、硬盤等可攜帶的所有移動存儲器最終將被閃存完全取代。”

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