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韓國開發(fā)出新技術(shù)　芯片工藝有望達5納米

　　9月4日消息，韓國一個科學(xué)家小組最近表示，他們開發(fā)出了一種新技術(shù)，為替代目前以硅為基礎(chǔ)的半導(dǎo)體產(chǎn)品開辟了道路。
　　
　　據(jù)法新社報道，該小組已表示成功制造出了所謂的“Mott Insulator”（莫特絕緣體），小組由電子與通信研究院（ETRI）的Kim Hyun-Tak牽頭。新材料是以獲得1977年諾貝爾物理獎的英國科學(xué)家Nevill Mott的名字命名的，盡管Mott insulators也屬于金屬，但它不能導(dǎo)電。然而，在高電壓狀態(tài)下，Mott insulators在相對較低的67攝氏度（華氏152.6度）下具有導(dǎo)電性能。
　　
　　ETRI院長Lim Joo-Hwan表示，“硅物質(zhì)導(dǎo)電發(fā)熱的物理性質(zhì)使得芯片上無法建立超薄集成電路，然而Mott metals卻不會發(fā)熱。”
　　
　　Kim Hyun-Tak表示，“20世紀在電子界風(fēng)靡一時的半導(dǎo)體最終將給Mott insulators讓路”。
　　
　　他表示，Mott insulators材料可開創(chuàng)一下每年達1000億美元銷售額的全球市場，包括顯示器與大量新設(shè)備都可放棄硅半導(dǎo)體而選擇Mott insulators。
　　
　　他表示，使用Mott金屬絕緣體之后，芯片的工藝可能達到5微米制程，而目前的半導(dǎo)體芯片的制程理論可達到40納米，但當(dāng)前市場上最領(lǐng)先的產(chǎn)品也使用90納米制造工藝。三星電子公司去年展示了全球最為先進的閃存芯片技術(shù)，該芯片采用的是60納米工藝。
　　
　　專家們提示，60納米很可能代表了硅元素半導(dǎo)體芯片的工藝極限。

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