安森美半導體（ON Semiconductor, 美國納斯達克上市代號：ONNN）針對便攜和無線音頻應用，推出了三種新型低電阻模擬開關。這三種6-引腳、10引腳和16引腳器件采用無鉛薄型QFN/薄型DFN封裝，占用板空間1.2 mm2 到4.7 mm2，是業內體積最小、性能最高的音頻模擬開關。
安森美半導體邏輯及模擬開關部總監Dan Huettl說：“空間受限便攜應用的客戶期望在引腳尺寸較小的封裝內獲得更高性能。安森美半導體新型模擬開關滿足了客戶的該項需求。客戶反響非常積極。一些客戶已經在其最新的手機設計中采用了該器件，而且正投入量產�！�
高性能音頻器件:
這三種新型高性能音頻模擬開關為低工作電壓的便攜和無線應用中音頻信號大電流開關而設計，適用于要求導通電阻（Ron）小的較大功率音頻應用，以提高功率效率 。目標應用包括手機、掌上電腦和MP3 播放器。
NLAS3799MNR2G是低壓、超小Ron的雙雙極雙擲（雙DPDT）開關。它的總諧波失真為0.11%，Ron低至0.35歐姆，可獲得優越的音頻性能和超低功耗。另外，NLAS3799LMNR2G （低壓邏輯型號）支持1.8V輸入偏差。這些器件采用無鉛16引腳薄型QFN封裝，尺寸為2.6 mm x 1.8 mm x 0.75 mm，占據的板空間比同類競爭產品小48%，每10,000件的批量單價為0.97美元。
NLAS5223MNR2G 是低壓、超小Ron的雙單極雙擲（雙SPDT）開關。該模擬開關提高了低Ron 性能，引腳尺寸比常用的NLAS4684MNR2G小70%�？傊C波失真為0.12%，Ron低至0.35 歐姆，獲得優越的音頻性能和超低功耗。另外，NLAS5223LMNR2G的低壓邏輯電平型號支持1.8V輸入偏差。此類器件采用無鉛10-引腳薄型QFN封裝，尺寸為1.4 mm x 1.8 mm x 0.75 mm，每10,000件的批量單價為0.67美元。
NLAS5123MNR2G 是1 歐姆Ron、單單機雙擲（單SPDT）模擬開關，總諧波失真為0.012 %，具有瞬時短路功能。此類器件采用無鉛6-引腳薄型DFN封裝，尺寸為1.2 mm x 1.0 mm x 0.75mm，占據的空間比競爭產品小53%，每10,000件的批量單價為0.56美元。
欲了解其他信息或定購樣片，請訪問www.onsemi.com ，或聯系Ryan Zahn (電郵地址：Ryan.Zahn@onsemi.com) 。
安森美半導體邏輯及模擬開關部總監Dan Huettl說：“空間受限便攜應用的客戶期望在引腳尺寸較小的封裝內獲得更高性能。安森美半導體新型模擬開關滿足了客戶的該項需求。客戶反響非常積極。一些客戶已經在其最新的手機設計中采用了該器件，而且正投入量產�！�
高性能音頻器件:
這三種新型高性能音頻模擬開關為低工作電壓的便攜和無線應用中音頻信號大電流開關而設計，適用于要求導通電阻（Ron）小的較大功率音頻應用，以提高功率效率 。目標應用包括手機、掌上電腦和MP3 播放器。
NLAS3799MNR2G是低壓、超小Ron的雙雙極雙擲（雙DPDT）開關。它的總諧波失真為0.11%，Ron低至0.35歐姆，可獲得優越的音頻性能和超低功耗。另外，NLAS3799LMNR2G （低壓邏輯型號）支持1.8V輸入偏差。這些器件采用無鉛16引腳薄型QFN封裝，尺寸為2.6 mm x 1.8 mm x 0.75 mm，占據的板空間比同類競爭產品小48%，每10,000件的批量單價為0.97美元。
NLAS5223MNR2G 是低壓、超小Ron的雙單極雙擲（雙SPDT）開關。該模擬開關提高了低Ron 性能，引腳尺寸比常用的NLAS4684MNR2G小70%�？傊C波失真為0.12%，Ron低至0.35 歐姆，獲得優越的音頻性能和超低功耗。另外，NLAS5223LMNR2G的低壓邏輯電平型號支持1.8V輸入偏差。此類器件采用無鉛10-引腳薄型QFN封裝，尺寸為1.4 mm x 1.8 mm x 0.75 mm，每10,000件的批量單價為0.67美元。
NLAS5123MNR2G 是1 歐姆Ron、單單機雙擲（單SPDT）模擬開關，總諧波失真為0.012 %，具有瞬時短路功能。此類器件采用無鉛6-引腳薄型DFN封裝，尺寸為1.2 mm x 1.0 mm x 0.75mm，占據的空間比競爭產品小53%，每10,000件的批量單價為0.56美元。
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本文鏈接：安森美推出業內最小封裝低壓模擬開關(圖
http:www.mangadaku.com/news/2006-1/2006119104453.html
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